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公开(公告)号：CN101770935A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910209145.1
申请日：2009-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B08B3/022 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提出一种方法，包括将半导体晶片沿着垂直于所述晶片表面的轴旋转。在旋转所述晶片时，该晶片以振荡式运动方式沿着平行于晶片主表面的方向移动。在旋转及移动所述晶片时，从分别位于该晶片主表面的第1位置和第2位置的第1喷嘴和第2喷嘴同时向该晶片主表面喷射材料。
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公开(公告)号：CN110783261A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910683401.4
申请日：2019-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 本发明实施例涉及一种制造半导体结构的方法，其包含：将衬底从第一加载锁腔室加载到第一处理腔室中；在所述第一处理腔室中在所述衬底上方安置导电层；将所述衬底从所述第一处理腔室加载到所述第一加载锁腔室中；将所述衬底从所述第一加载锁腔室加载到封壳中，所述封壳填充有惰性气体且安置于所述第一加载锁腔室与第二加载锁腔室之间；将所述衬底从所述封壳加载到所述第二加载锁腔室中；将所述衬底从所述第二加载锁腔室加载到第二处理腔室中；在所述第二处理腔室中在所述导电层上方安置导电部件；将所述衬底从所述第二处理腔室加载到所述第二加载锁腔室中；以及将所述衬底从所述第二加载锁腔室加载到第二加载端口中。
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公开(公告)号：CN111123657A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910973178.7
申请日：2019-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明实施例涉及产生电磁辐射的设备及方法。根据本发明的一些实施例，一种电磁辐射产生设备包含收集器、气体供应器及气体管道。收集器具有经配置以反射电磁辐射的反射表面。收集器包含底部部分、外围部分及介于底部部分与周边部分之间的中间部分。收集器的中间部分包含多个开口。气体供应器经配置以提供缓冲气体。气体管道与气体供应器及收集器连通，且经配置以使缓冲气体吹扫穿过中间部分的开口，以在收集器的反射表面附近形成气体保护层。中间部分的开口包含：多个孔，所述孔布置成包含多个孔行的阵列；或多个同心间隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101770935B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200910209145.1
申请日：2009-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B08B3/022 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提出一种方法，包括将半导体晶片沿着垂直于所述晶片表面的轴旋转。在旋转所述晶片时，该晶片以振荡式运动方式沿着平行于晶片主表面的方向移动。在旋转及移动所述晶片时，从分别位于该晶片主表面的第1位置和第2位置的第1喷嘴和第2喷嘴同时向该晶片主表面喷射材料。
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公开(公告)号：CN111123657B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910973178.7
申请日：2019-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明实施例涉及产生电磁辐射的设备及方法。根据本发明的一些实施例，一种电磁辐射产生设备包含收集器、气体供应器及气体管道。收集器具有经配置以反射电磁辐射的反射表面。收集器包含底部部分、外围部分及介于底部部分与周边部分之间的中间部分。收集器的中间部分包含多个开口。气体供应器经配置以提供缓冲气体。气体管道与气体供应器及收集器连通，且经配置以使缓冲气体吹扫穿过中间部分的开口，以在收集器的反射表面附近形成气体保护层。中间部分的开口包含：多个孔，所述孔布置成包含多个孔行的阵列；或多个同心间隙。
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公开(公告)号：CN101740344A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910134148.3
申请日：2009-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/673 , B08B3/00
CPC classification number: B08B7/0021 , B08B3/08 , B08B3/10
Abstract: 本发明提供一种半导体制造设备的清洁方法及装置。在该方法的一实施例中，将该半导体制造设备置于一腔室中；导入一流体至该腔室中；控制该流体的压力及温度使其转变为超流体状态；以该超临界流体接触该半导体制造设备以清洁该半导体制造设备；自该腔室中移去该超临界流体；以及自该腔室中移去该半导体制造设备。本发明在清洗半导体设备时不但清洗效率高，而且清洗设备使用方便，成本较低。
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公开(公告)号：CN220933341U
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202321576958.6
申请日：2023-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型为提高EUV发射的稳定性，在旋转的坩锅的内壁加上凸起和檐口，该旋转的坩锅通过使用雷射蒸发预热的金属(例如锡)来产生极紫外光。凸起和檐口可防止碎屑移动并控制液体金属流动，否则液体金属流动会随着坩锅旋转产生的离心力而随着时间分布。凸起和檐口通过将湍流的液体金属流改变为以层流为主的流动来稳定EUV发射。各种设计的锡收集器可用于收集和回收大部分的碎屑和未使用的液体金属。封闭的坩锅腔室设计缓解了加热不均匀的问题。
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