公开(公告)号：CN109994351B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201810000743.7

申请日：2018-01-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宜静 ,  陈其贤 ,  吴欣贤 ,  张钧琳

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

Abstract: 一种离子布植机及离子布植机腔室的制造方法。此离子布植机包含腔室。腔室包含至少一第一腔壁及第一类金刚石碳层。所述至少一第一腔壁定义出制程空间。第一类金刚石碳层配置于所述至少一第一腔壁上。第一类金刚石碳层包含经修饰的第一表面，经修饰的第一表面面向制程空间。

公开(公告)号：CN102851647B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201210320845.X

申请日：2010-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林思宏 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  林进祥

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/56 ,  C23C16/48 ,  C23C16/44 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/78 ,  C23C14/022 ,  C23C14/046 ,  C23C14/18 ,  C23C14/221 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/48 ,  C23C16/484 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明实施例公开了一种沉积含金属膜于具有图案化构造的基板上的方法，即揭示由底部向上的金属沉积方法，以填入内连线结构和置换栅极结构，能使具有高深宽比的细微构造的间隙填入不会造成空洞，并且提供具有良好镀膜品质的金属膜。利用GCIB工艺沉积金属膜的临场前处理能允许表面杂质和表面氧化物，以改善底层和沉积的金属之间的粘结性。借由PI-CVD工艺沉积的金属膜是使用高能量低频率的光源，于相对低的温度时呈现类液态的性质，而允许金属膜由底部向上填入细微构造。由PI-CVD工艺沉积的金属膜的后沉积退火工艺能使金属膜致密化，并从金属膜移除残留的气态物种。本发明解决了具有高深宽比的细微构造在间隙填入时所面临的挑战。

公开(公告)号：CN101829953B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201010113786.X

申请日：2010-02-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪昆谷 ,  魏正泉 ,  黄循康 ,  陈其贤

IPC: B24B57/02

CPC classification number: B24B57/02 ,  B24B37/04

Abstract: 一种化学机械抛光方法及设备提供了可变形的伸缩抛光液分配器臂，该分配器臂连接到分配器头上，分配器头可以为拱形并且还可以是可弯曲的伸缩元件，可以调整该伸缩元件从而改变分配器头的抛光液分配口数量以及曲率程度。分配器臂中可以额外地包括抛光液分配口。分配器臂可以优选由互相可滑动的多个嵌套管形成。可调节分配器臂可以关于旋转点旋转，并能够改变位置以适应用于不同尺寸抛光衬底的不同尺寸的抛光垫，并且可弯曲拉伸的抛光液分配器臂和分配器头在各种情况下可以向任何不同的晶片抛光位置提供了均匀的抛光液分布，有效的抛光液使用以及均匀的抛光液外形。

公开(公告)号：CN102851647A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210320845.X

申请日：2010-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林思宏 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  林进祥

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/56 ,  C23C16/48 ,  C23C16/44 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/78 ,  C23C14/022 ,  C23C14/046 ,  C23C14/18 ,  C23C14/221 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/48 ,  C23C16/484 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明实施例公开了一种沉积含金属膜于具有图案化构造的基板上的方法，即揭示由底部向上的金属沉积方法，以填入内连线结构和置换栅极结构，能使具有高深宽比的细微构造的间隙填入不会造成空洞，并且提供具有良好镀膜品质的金属膜。利用GCIB工艺沉积金属膜的临场前处理能允许表面杂质和表面氧化物，以改善底层和沉积的金属之间的粘结性。借由PI-CVD工艺沉积的金属膜是使用高能量低频率的光源，于相对低的温度时呈现类液态的性质，而允许金属膜由底部向上填入细微构造。由PI-CVD工艺沉积的金属膜的后沉积退火工艺能使金属膜致密化，并从金属膜移除残留的气态物种。本发明解决了具有高深宽比的细微构造在间隙填入时所面临的挑战。

公开(公告)号：CN101898327A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010169032.6

申请日：2010-05-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黃循康 ,  洪昆谷 ,  魏正泉 ,  陈其贤

IPC: B24B29/00 ,  B24B53/00

CPC classification number: B24B53/003 ,  B24B53/017

Abstract: 一种化学机械抛光(CMP)设备，用于抛光半导体晶片，并用于同时使用多个调节盘调节CMP设备的抛光垫。调节盘可以沿抛光垫的表面一起或独立地移动以调节旋转的抛光垫的整个表面。

公开(公告)号：CN101894789A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010183416.3

申请日：2010-05-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李资良 ,  郑培仁 ,  傅竹韵 ,  陈其贤 ,  黄志辉 ,  彭治棠 ,  连浩明

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/76232

Abstract: 本发明一实施例提供一种隔离结构的制造方法，包括：提供一基底；于该基底的一顶表面中形成一沟槽；于该沟槽中部分填充一第一氧化硅；将该第一氧化硅的一表面暴露于一气相混合物，该气相混合物包括NH3及一含氟化合物；将该基底加热至介于100℃至200℃的一温度；以及于该沟槽中填充一第二氧化硅，以使所形成的该隔离结构不具有空隙。

公开(公告)号：CN101770935A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910209145.1

申请日：2009-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐子正 ,  杨棋铭 ,  陈其贤

IPC: H01L21/00 ,  B08B3/02

CPC classification number: B08B3/022 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提出一种方法，包括将半导体晶片沿着垂直于所述晶片表面的轴旋转。在旋转所述晶片时，该晶片以振荡式运动方式沿着平行于晶片主表面的方向移动。在旋转及移动所述晶片时，从分别位于该晶片主表面的第1位置和第2位置的第1喷嘴和第2喷嘴同时向该晶片主表面喷射材料。

公开(公告)号：CN1909206A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610001959.2

申请日：2006-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹荣志 ,  陈科维 ,  林俞谷 ,  陈其贤

IPC: H01L21/768

CPC classification number: C25D5/10 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明是有关于一种半导体元件中内连线结构的制造方法。内连线结构是具有一或多个应力释放层的多层结构。在实施例中，应力释放层是设置于电镀铜层或其他导电材料之间。应力释放层可抵消导电材料所引起的应力并有助于防止或减少产生拉回孔洞。使用电镀铜层的内连线结构，可藉由短暂地减少电镀电流来形成应力释放层，使得介于其他铜层间的铜薄膜具有较大的晶粒尺寸。较大晶粒尺寸的铜典型上比较小晶粒尺寸的铜具有较大的压缩应力。应力释放层的形成材料亦可选自于其他材料，如自行离子化电浆－铜、钽、碳化硅及其类似物。

公开(公告)号：CN111123657B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201910973178.7

申请日：2019-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐子正 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  彭瑞君 ,  刘恒信 ,  林进祥

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明实施例涉及产生电磁辐射的设备及方法。根据本发明的一些实施例，一种电磁辐射产生设备包含收集器、气体供应器及气体管道。收集器具有经配置以反射电磁辐射的反射表面。收集器包含底部部分、外围部分及介于底部部分与周边部分之间的中间部分。收集器的中间部分包含多个开口。气体供应器经配置以提供缓冲气体。气体管道与气体供应器及收集器连通，且经配置以使缓冲气体吹扫穿过中间部分的开口，以在收集器的反射表面附近形成气体保护层。中间部分的开口包含：多个孔，所述孔布置成包含多个孔行的阵列；或多个同心间隙。

公开(公告)号：CN110543082A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910279012.5

申请日：2019-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李中杰 ,  徐丰源 ,  陈其贤 ,  杨棋铭 ,  吴小真 ,  张钧琳

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明实施例涉及产生电磁辐射的机台及方法，所述方法包括以下操作。将目标材料引入于腔室中。将光束照射于所述腔室中的所述目标材料上，以产生等离子体及电磁辐射。用光学装置收集所述电磁辐射。将气体混合物引入于所述腔室中。所述气体混合物包括与所述目标材料起反应的第一缓冲气体，及用于减缓所述目标材料的碎屑及/或等离子体副产物以增加所述目标材料与所述第一缓冲气体的反应效率且减少所述目标材料的所述碎屑及/或所述等离子体副产物在所述光学装置上的沉积的第二缓冲气体。