-
公开(公告)号：CN113380625A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110517064.9
申请日：2021-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包含形成第一介电层于半导体鳍片上。上述方法包含形成第二介电层于第一介电层上。上述方法包含露出第一介电层的部分。上述方法包含在限制第一介电层的暴露部分的氧化的同时，氧化第二介电层的表面。
-
公开(公告)号：CN111106002A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201910872991.5
申请日：2019-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 李中杰
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 本发明一些实施例涉及制造半导体结构的蚀刻溶液与使用蚀刻溶液制造半导体结构的方法。本发明一些实施例提供一种半导体结构蚀刻溶液，其包含蚀刻剂、在所述半导体结构蚀刻溶液中具有大于10-3M的离子强度的离子强度增强剂、及具有低于水的介电常数的介电常数的溶剂。
-
公开(公告)号：CN110543082A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910279012.5
申请日：2019-04-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明实施例涉及产生电磁辐射的机台及方法，所述方法包括以下操作。将目标材料引入于腔室中。将光束照射于所述腔室中的所述目标材料上，以产生等离子体及电磁辐射。用光学装置收集所述电磁辐射。将气体混合物引入于所述腔室中。所述气体混合物包括与所述目标材料起反应的第一缓冲气体，及用于减缓所述目标材料的碎屑及/或等离子体副产物以增加所述目标材料与所述第一缓冲气体的反应效率且减少所述目标材料的所述碎屑及/或所述等离子体副产物在所述光学装置上的沉积的第二缓冲气体。
-
公开(公告)号：CN109817513B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810613449.3
申请日：2018-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 李中杰
IPC: H01L21/02
Abstract: 在清洗衬底的方法中，将包括尺寸改性材料的溶液施加在衬底上，其中衬底上设置有要去除的颗粒。由颗粒和尺寸改性材料生成具有比颗粒更大尺寸的尺寸改性颗粒。从衬底去除尺寸改性颗粒。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN109817513A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201810613449.3
申请日：2018-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 李中杰
IPC: H01L21/02
Abstract: 在清洗衬底的方法中，将包括尺寸改性材料的溶液施加在衬底上，其中衬底上设置有要去除的颗粒。由颗粒和尺寸改性材料生成具有比颗粒更大尺寸的尺寸改性颗粒。从衬底去除尺寸改性颗粒。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107313025A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201610916026.X
申请日：2016-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/448
CPC classification number: C23C16/4482 , C23C16/405 , C23C16/4402 , C23C16/4481
Abstract: 本发明的实施例涉及汽相沉积工艺的气体前体产生系统和固体前体传输的方法。在一些实施例中，气体前体产生系统包括前体安瓿，前体安瓿包括与载气源耦接的入口和与汽相沉积室耦接的出口。液体前体布置在前体安瓿内，其包括具有一种或多种离子液体并且配置为溶解固体前体的化学物质的溶剂。通过液体前体的蒸发在前体安瓿的上部区域处产生气体前体并通过前体安瓿的出口由载气携带至汽相沉积室。固体前体的化学物质传输入汽相沉积室中并且沉积在衬底的表面上。
-
公开(公告)号：CN107293478A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710190268.X
申请日：2017-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/31133 , H01J37/32009 , H01J2237/334 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/3065 , H01L21/31155 , H01L29/66795 , H01L21/02082
Abstract: 本发明实施例提供一种去除聚合物的方法。施加水溶液到在其上设置有聚合物的半导体工件上。水溶液包括被构造为响应于能量而生成活性自由基的能量接收器。施加能量到水溶液上以在水溶液中生成活性自由基并去除聚合物。本发明还提供了一种生成所述活性自由基的处理工具。本发明实施例涉及用于去除聚合物和清洁工件的活性自由基处理。
-
公开(公告)号：CN111243988B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201911192940.4
申请日：2019-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明实施例涉及用于使用脱水化学品形成半导体结构的方法及用于形成半导体结构的方法。本发明实施例提供一种用于在环境温度下使半导体衬底脱水的脱水化学品，其包含：第一化学品，其具有低于所述环境温度的熔点；及第二化学品，其具有高于所述第一化学品的所述熔点的熔点，其中所述脱水化学品具有比所述环境温度低预定ΔT0度的熔点，且所述第一化学品及所述第二化学品中的至少一者在1atm下具有高于预定压力Psv的饱和蒸汽压。
-
公开(公告)号：CN111106002B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201910872991.5
申请日：2019-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 李中杰
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 本发明一些实施例涉及制造半导体结构的蚀刻溶液与使用蚀刻溶液制造半导体结构的方法。本发明一些实施例提供一种半导体结构蚀刻溶液，其包含蚀刻剂、在所述半导体结构蚀刻溶液中具有大于10‑3M的离子强度的离子强度增强剂、及具有低于水的介电常数的介电常数的溶剂。
-
公开(公告)号：CN111243988A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911192940.4
申请日：2019-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明实施例涉及用于使用脱水化学品形成半导体结构的方法及用于形成半导体结构的方法。本发明实施例提供一种用于在环境温度下使半导体衬底脱水的脱水化学品，其包含：第一化学品，其具有低于所述环境温度的熔点；及第二化学品，其具有高于所述第一化学品的所述熔点的熔点，其中所述脱水化学品具有比所述环境温度低预定ΔT0度的熔点，且所述第一化学品及所述第二化学品中的至少一者在1atm下具有高于预定压力Psv的饱和蒸汽压。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.031 seconds)
