公开(公告)号：CN110873553A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910644012.0

申请日：2019-07-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐丰源 ,  杨棋铭 ,  许青翔 ,  陈其贤

IPC: G01B11/06

Abstract: 本发明实施例涉及椭圆偏振仪及估计膜厚度的方法。本发明实施例涉及一种椭圆偏振仪，其包括光源、偏振器、非对称波长延迟器、分析仪及光学检测组件。所述光源经配置以提供入射到样本的具有多个波长的光束。所述偏振器安置于所述光源与所述样本之间，且经配置以使所述光束偏振。所述非对称波长延迟器经配置以提供对波长可变的所述光束的可变延迟效果。所述分析仪经配置以分析由所述样本反射的所述光束的偏振状态。所述光学检测组件经配置以检测来自所述分析仪的所述光束。

公开(公告)号：CN110774171B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201910505972.9

申请日：2019-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： J·J·崔 ,  徐丰源

IPC: B24B37/20 ,  B24B37/22 ,  B24B37/26 ,  B24D18/00

Abstract: 本发明实施例涉及用于化学机械抛光的装置及方法。所述抛光垫包含：材料层，其具有表面；多个槽，其凹入至所述材料层中的所述表面中；及荧光指示器，其在所述材料层中。所述多个槽的每一者具有第一深度，所述荧光指示器具有第二深度，且所述第二深度等于或小于所述第一深度。

公开(公告)号：CN112596336A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202010362158.9

申请日：2020-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许青翔 ,  黄正吉 ,  徐丰源

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/38 ,  G03F1/82

Abstract: 本发明实施例涉及光罩遮蔽结构、极紫外线仪器及其形成方法。本发明一些实施例提供一种光罩结构。所述光罩结构包含磁性衬底及安置在所述磁性衬底上的顺磁性部分。所述磁性衬底具有磁场，且所述顺磁性部分具有所述磁性衬底的所述磁场的方向上的感应磁场。所述顺磁性部分包含由所述顺磁性部分的多个突起结构界定的粗糙表面。本发明一些实施例还提供一种用于形成光罩结构的方法及一种极紫外线仪器。

公开(公告)号：CN110774171A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910505972.9

申请日：2019-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： J·J·崔 ,  徐丰源

IPC: B24B37/20 ,  B24B37/22 ,  B24B37/26 ,  B24D18/00

Abstract: 本发明实施例涉及用于化学机械抛光的装置及方法。所述抛光垫包含：材料层，其具有表面；多个槽，其凹入至所述材料层中的所述表面中；及荧光指示器，其在所述材料层中。所述多个槽的每一者具有第一深度，所述荧光指示器具有第二深度，且所述第二深度等于或小于所述第一深度。

公开(公告)号：CN110874010A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910808857.9

申请日：2019-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐丰源 ,  沈仓辉 ,  许青翔

IPC: G03F1/24

Abstract: 本发明实施例涉及极紫外光光掩模及其制造方法。提供一种光掩模和制造光掩模的方法。根据实施例，一种方法包含：提供衬底；在所述衬底上沉积反射层；在所述反射层上沉积罩盖层；在所述罩盖层上沉积吸收层；以及通过激光束处理所述反射层以形成边界区。所述激光束包含低于约十皮秒的脉冲持续时间。

公开(公告)号：CN110780540A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910690318.X

申请日：2019-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许青翔 ,  徐丰源 ,  张旭凯 ,  杨棋铭

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明实施例涉及将金属非金属化合物用作前驱物的光产生系统及相关的光产生方法。本发明实施例提供一种光产生系统。所述光产生系统包含汽化装置、激光装置及透镜结构。所述汽化装置经配置以汽化金属非金属化合物以产生金属非金属前驱气体。所述激光装置经配置以提供激光，且用所述激光照射从所述汽化装置释放的所述金属非金属前驱气体以发射光信号。所述透镜结构经配置以朝向用于光刻工艺的光掩模引导所述光信号。

公开(公告)号：CN110543082A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910279012.5

申请日：2019-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李中杰 ,  徐丰源 ,  陈其贤 ,  杨棋铭 ,  吴小真 ,  张钧琳

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明实施例涉及产生电磁辐射的机台及方法，所述方法包括以下操作。将目标材料引入于腔室中。将光束照射于所述腔室中的所述目标材料上，以产生等离子体及电磁辐射。用光学装置收集所述电磁辐射。将气体混合物引入于所述腔室中。所述气体混合物包括与所述目标材料起反应的第一缓冲气体，及用于减缓所述目标材料的碎屑及/或等离子体副产物以增加所述目标材料与所述第一缓冲气体的反应效率且减少所述目标材料的所述碎屑及/或所述等离子体副产物在所述光学装置上的沉积的第二缓冲气体。