公开(公告)号：CN103777470B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310046337.1

申请日：2013-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张书豪 ,  吴小真 ,  许家豪 ,  陈家桢 ,  陈映予 ,  李慈莉 ,  简上杰 ,  陈政宏 ,  严涛南

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2002 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70933

Abstract: 提供了一种用于紫外线(UV)和远紫外线(EUV)光刻图案化的方法和装置。生成UV或EUV光束并且将它们引导至设置在工作台上且涂覆有光刻胶的衬底表面。在曝光(即，光刻操作)期间引导层状惰性气体流过并且紧邻涂覆有光刻胶的衬底表面。将惰性气体快速排出并且在曝光位置处具有短暂的共振时间。惰性气体流防止通过光刻胶除气产生的废气和其他污染物沉淀和污染光刻装置的其他部件。

公开(公告)号：CN113359394A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110560337.8

申请日：2021-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴小真 ,  杨棋铭 ,  刘旭水

IPC: G03F7/20

Abstract: 公开了用于图案化第一半导体晶圆的光刻方法。将光学掩模定位在第一半导体晶圆上方。通过将来自光源的光引导穿过光掩模的透明区域来图案化第一半导体晶圆的第一区域。通过将来自能量源的能量引导至第二区域来图案化第一半导体晶圆的第二区域，其中第二区域的图案化包括直射束写入。本发明的实施例还涉及通过工艺生产的图案化的半导体晶圆和在半导体晶圆上写入光刻伪图案的方法。

公开(公告)号：CN106997847A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201611255242.0

申请日：2016-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马正鑫 ,  吴小真 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  林志诚 ,  林云跃

IPC: H01L21/033

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/62 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明实施例揭示一种表膜及其制造方法。制造表膜的方法包括：提供支撑衬底；形成氧化物层于支撑衬底上方；形成金属层于氧化物层上方；形成石墨烯层于金属层上方；以及去除支撑衬底与氧化物层的至少一部分。一种相关的方法包括：提供支撑衬底；形成第一碳化硅SiC层或钻石层于支撑衬底上方；形成石墨烯层于SiC层或钻石层上方；以及去除支撑衬底与第一碳化硅SiC或钻石层的至少一部分；其中表膜对于极紫外EUV辐射为具有至少部分可穿透性。本揭露还提供相关的表膜。

公开(公告)号：CN108170005B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201710948215.X

申请日：2017-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴小真 ,  张俊霖

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开提供一种高亮度光线的产生方法，包括将气态材料引入标靶材料。上述方法还包括将标靶材料供应至燃料标靶产生器中。上述方法亦包括通过推进具有气态材料的标靶材料离开燃料标靶产生器而产生标靶。另外，上述方法包括将标靶中的气态材料扩展以转换标靶为标靶雾。上述方法亦包括将主要脉冲激光聚焦于标靶雾上以产生放射高亮度光线的等离子体。本公开提供的高亮度光线的产生方法可以从输入能量增加能源转换效率予离子化。

公开(公告)号：CN111103755A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911021402.9

申请日：2019-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴小真 ,  许倍诚

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/58

Abstract: 一种反射光罩包括基板、位于基板上方的光吸收层、位于光吸收层上方的反射层、及位于反射层上方的吸收图案。反射层覆盖光吸收层的第一部分，且光吸收层的第二部分未由反射层覆盖。

公开(公告)号：CN103777470A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310046337.1

申请日：2013-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张书豪 ,  吴小真 ,  许家豪 ,  陈家桢 ,  陈映予 ,  李慈莉 ,  简上杰 ,  陈政宏 ,  严涛南

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2002 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70933

Abstract: 提供了一种用于紫外线(UV)和远紫外线(EUV)光刻图案化的方法和装置。生成UV或EUV光束并且将它们引导至设置在工作台上且涂覆有光刻胶的衬底表面。在曝光(即，光刻操作)期间引导层状惰性气体流过并且紧邻涂覆有光刻胶的衬底表面。将惰性气体快速排出并且在曝光位置处具有短暂的共振时间。惰性气体流防止通过光刻胶除气产生的废气和其他污染物沉淀和污染光刻装置的其他部件。

公开(公告)号：CN107015441B

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201611257096.5

申请日：2016-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑文豪 ,  游秋山 ,  吴小真

IPC: G03F7/20

Abstract: 本揭露提供一种用于屏蔽光罩的设备。所述设备包括场产生器，用以产生场屏蔽以保护光罩免于外来粒子的污染。

公开(公告)号：CN110543082A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910279012.5

申请日：2019-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李中杰 ,  徐丰源 ,  陈其贤 ,  杨棋铭 ,  吴小真 ,  张钧琳

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明实施例涉及产生电磁辐射的机台及方法，所述方法包括以下操作。将目标材料引入于腔室中。将光束照射于所述腔室中的所述目标材料上，以产生等离子体及电磁辐射。用光学装置收集所述电磁辐射。将气体混合物引入于所述腔室中。所述气体混合物包括与所述目标材料起反应的第一缓冲气体，及用于减缓所述目标材料的碎屑及/或等离子体副产物以增加所述目标材料与所述第一缓冲气体的反应效率且减少所述目标材料的所述碎屑及/或所述等离子体副产物在所述光学装置上的沉积的第二缓冲气体。

公开(公告)号：CN108170005A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201710948215.X

申请日：2017-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴小真 ,  张俊霖

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70033 ,  H05G2/003 ,  H05G2/006 ,  H05G2/008 ,  G03F7/70041

Abstract: 本公开提供一种高亮度光线的产生方法，包括将气态材料引入标靶材料。上述方法还包括将标靶材料供应至燃料标靶产生器中。上述方法亦包括通过推进具有气态材料的标靶材料离开燃料标靶产生器而产生标靶。另外，上述方法包括将标靶中的气态材料扩展以转换标靶为标靶雾。上述方法亦包括将主要脉冲激光聚焦于标靶雾上以产生放射高亮度光线的等离子体。本公开提供的高亮度光线的产生方法可以从输入能量增加能源转换效率予离子化。

公开(公告)号：CN107015441A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611257096.5

申请日：2016-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑文豪 ,  游秋山 ,  吴小真

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70883 ,  G03F7/70916 ,  H01L21/67069 ,  G03F7/70733

Abstract: 本揭露提供一种用于屏蔽光罩的设备。所述设备包括场产生器，用以产生场屏蔽以保护光罩免于外来粒子的污染。