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公开(公告)号：CN109814339B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201811131646.8
申请日：2018-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提出一种用于光刻的设备，一种清洁一静电式掩模固定座的方法以及一种清洁一静电式掩模固定座的设备。用于清洁使用于一光刻系统内的静电式掩模固定座的设备，包括供应低压环境于静电式掩模固定座的一腔体，以及配置用于施加超音波至静电式掩模固定座的一超音波换能器。此设备还包括配置用于控制超音波换能器的控制器，以及一气流控制器。气流控制器配置用于使腔体加压或减压。
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公开(公告)号：CN110653221A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910560150.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种清洗极紫外(EUV)辐射源设备的方法，其中EUV辐射源设备包括用于在腔室内生成金属靶液滴的靶液滴产生器，以及干冰喷射组件。干冰喷射组件具有设置在腔室内部的喷射喷嘴及干冰支承构件。清洗方法包括以下步骤：形成包括来自干冰喷射组件的干冰支承构件的干冰颗粒及加压气流的加压干冰颗粒，接着，将加压干冰颗粒经由喷射喷嘴朝向靶液滴产生器的喷嘴处的残余材料喷出。从靶液滴产生器去除残余材料，以及收集残余材料及来自加压干冰颗粒的升华气态二氧化碳。
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公开(公告)号：CN109509713A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201711269252.4
申请日：2017-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明实施例提供一种排气系统，用于从半导体制造设备排出有害气体，包括：主排气管，具有顶表面及底表面；第一支管，包括上游端及下游端，上游端耦接到混合气体的来源，混合气体包括有害气体，下游端通过顶表面连接到主排气管；第二支管，包括下游端，下游端通过底表面连接到主排气管；以及检测器，配置以检测第二支管中的有害气体的存在。
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公开(公告)号：CN109814339A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811131646.8
申请日：2018-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提出一种用于光刻的设备，一种清洁一静电式掩模固定座的方法以及一种清洁一静电式掩模固定座的设备。用于清洁使用于一光刻系统内的静电式掩模固定座的设备，包括供应低压环境于静电式掩模固定座的一腔体，以及配置用于施加超音波至静电式掩模固定座的一超音波换能器。此设备还包括配置用于控制超音波换能器的控制器，以及一气流控制器。气流控制器配置用于使腔体加压或减压。
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公开(公告)号：CN106483772B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201510860745.X
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70866 , G03F7/70925
Abstract: 一种微影术系统及其使用方法，微影术系统包括一负载锁定腔室，此负载锁定腔室包括配置用以接收遮罩的开口；曝光模块，其配置用以经由使用遮罩，使半导体晶圆曝露于光源；及清洗模块，其嵌入在此微影术工具内，此清洗模块配置用以自遮罩清洗碳粒子。本发明内容可提供一种用于高级微影术技术中，保持遮罩干净且无缺陷的方法。此方法所形成的干净无缺陷遮罩，可提升微影术工艺的良率与精准度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105319860B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510193413.0
申请日：2015-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/2002 , G02B26/06 , G03F7/20 , G03F7/70258 , G03F7/70308 , G03F7/7065
Abstract: 根据一些实施例，本发明提供了一种缓解用于ID图案的缺陷适印性的方法。该方法包括：将掩模加载至光刻系统，掩模包括一维集成电路(IC)图案；利用光刻系统中的光瞳相位调制器来调制从掩模衍射的光的相位；以及利用掩模和光瞳相位调制器，在光刻系统中对目标执行光刻曝光工艺。
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公开(公告)号：CN107065447A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710071207.1
申请日：2017-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F1/24 , G03F1/36 , G03F7/70091 , G03F7/70433 , G03F7/705 , G03F7/2004 , G03F7/70008 , G03F7/70425
Abstract: 本发明的实施例提供用于对半导体器件进行极紫外光刻(EUVL)工艺的方法，包括：提供一种集成电路的部件的图案；选择极紫外波长辐射束的光瞳的配置(也被称为照射模式)；选择的配置为非对称的单极配置。确定使用选定配置所模拟的部件的图案的成像与部件的图案的设计的成像之间的至少一种差别；然后修改参数(也被称为补偿参数)以解决至少一种差别，其中该参数为设计部件、掩模部件和光刻工艺参数的至少一个；然后使用选定的配置和修改的参数将衬底暴露至部件的图案。
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公开(公告)号：CN103777470A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310046337.1
申请日：2013-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2002 , G03F7/20 , G03F7/70916 , G03F7/70933
Abstract: 提供了一种用于紫外线(UV)和远紫外线(EUV)光刻图案化的方法和装置。生成UV或EUV光束并且将它们引导至设置在工作台上且涂覆有光刻胶的衬底表面。在曝光(即，光刻操作)期间引导层状惰性气体流过并且紧邻涂覆有光刻胶的衬底表面。将惰性气体快速排出并且在曝光位置处具有短暂的共振时间。惰性气体流防止通过光刻胶除气产生的废气和其他污染物沉淀和污染光刻装置的其他部件。
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公开(公告)号：CN103681782A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210507320.7
申请日：2012-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/562 , G03F7/70708 , H01L21/26506 , H01L21/32155 , H01L21/6831 , H01L29/0603 , H01L29/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构的一个实施例。半导体结构包括具有正面和背面的半导体衬底；形成在半导体衬底的正面上的集成电路部件；以及设置在半导体衬底的背面上的多晶硅层。本发明还提供了用于夹持作用减小的远紫外静电吸盘的方法及结构。
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公开(公告)号：CN116841126A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210306558.7
申请日：2022-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光罩护膜检测方法及其系统，光罩护膜检测方法包含以一低同调光干涉系统，分别使用一第一偏振光以及一第二偏振光，量测一光罩护膜的多个区域，以分别获得每一该些区域的一第一偏振态色散信息以及一第二偏振态色散信息，其中该第一偏振光的偏振态不同于该第二偏振光的偏振态；计算每一该些区域的该第一偏振态色散信息以及该第二偏振态色散信息，以判断该光罩护膜是否合格；以及将合格的该光罩护膜装设至一光罩上。
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