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公开(公告)号：CN1573557A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410038131.5
申请日：2004-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/72
Abstract: 本发明提供一种去除光罩遮光缺陷的方法，适用于微影用光罩，包含透光基底以及光罩图案层设置于该透光基底表面，其中该光罩图案层中具有至少一遮光缺陷，该方法包含下列步骤：首先覆盖一阻剂于该透光基底表面；接着在透光基底上选定包含遮光缺陷的区域，对该区域再进行相同的光罩图案的曝光显影制程，以形成图案化阻剂，并露出该遮光缺陷。以该图案化阻剂为幕罩，蚀刻该区域以去除遮光缺陷。最后，去除阻剂则形成无遮光缺陷的光罩图案层。而藉此方法所形成的光罩，可用于半导体制程中。
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公开(公告)号：CN107527835B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201710156098.3
申请日：2017-03-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明的实施例提供一种在光刻中用于产生至少一个微粒屏蔽体的设备及光刻系统。所述至少一个微粒屏蔽体包括第一部件及第二部件。所述第一部件及所述第二部件能够用于形成所述至少一个微粒屏蔽体中的第一微粒屏蔽体，以阻挡微粒接触物体的接近表面，所述第一微粒屏蔽体实质上平行于所述物体的所述接近表面并与所述物体的所述接近表面在实体上隔开，且所述第一微粒屏蔽体包括能量梯度力或速度梯度力。
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公开(公告)号：CN100445870C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200410057194.5
申请日：2004-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70425 , G03F1/72 , G03F1/76 , G03F1/84 , G03F7/70383 , G03F9/7003 , G03F9/7011 , G03F9/7046 , G03F9/7049
Abstract: 揭露一种方法与系统，用以处理在一掩模或倍缩掩模基底上一个或多个倾斜的特征。在将所述掩模或倍缩掩模基底与一预定的参考系统对准之后，决定在所述掩模或倍缩掩模基底上要被处理的一个特征的一个偏移角，所述偏移角是对于所述预定的参考系统的水平或垂直参考方向而言。所述掩模或倍缩掩模基底在一预定的方向上被旋转所述偏移角度；而且使用所述预定的参考系统处理在所述掩模或倍缩掩模基底上的所述特征，其中所述特征是在所述预定的参考系统的水平或垂直参考方向上被处理。
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公开(公告)号：CN100576088C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710199060.0
申请日：2007-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 游秋山
IPC: G03F7/20 , G03F1/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/64
Abstract: 本发明涉及一种利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置及方法，其是将印框护膜固定于光掩膜上，该印框护膜至少包含护膜框架及与其连接的护膜，印框护膜具有第一孔与第二孔，第一孔与第二孔均连接第一空间与印框护膜外的第二空间，而第一空间由光掩膜与印框护膜环设而成的。在利用能量源穿过印框护膜及光掩膜对光刻层曝光的同时，使第一空间内的气体经由第一孔而外流至印框护膜。
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公开(公告)号：CN1648775A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410057194.5
申请日：2004-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70425 , G03F1/72 , G03F1/76 , G03F1/84 , G03F7/70383 , G03F9/7003 , G03F9/7011 , G03F9/7046 , G03F9/7049
Abstract: 揭露一种方法与系统，用以处理在一掩模或倍缩掩模基底上一个或多个倾斜的特征。在将所述掩模或倍缩掩模基底与一预定的参考系统对准之后，决定在所述掩模或倍缩掩模基底上要被处理的一个特征的一个偏移角，所述偏移角是对于所述预定的参考系统的水平或垂直参考方向而言。所述掩模或倍缩掩模基底在一预定的方向上被旋转所述偏移角度；而且使用所述预定的参考系统处理在所述掩模或倍缩掩模基底上的所述特征，其中所述特征是在所述预定的参考系统的水平或垂直参考方向上被处理。
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公开(公告)号：CN109581806B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201810141775.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种从光掩模移除护膜的方法包括从护膜框架移除膜片的一部分，其中在所述移除所述膜片的所述部分之后，所述护膜框架保持附着到所述光掩模。所述方法进一步包括从所述光掩模移除所述护膜框架。所述方法进一步包括对所述光掩模进行清洁。
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公开(公告)号：CN107546111B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201710159715.5
申请日：2017-03-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 游秋山
IPC: H01L21/033 , H01L21/308
Abstract: 本发明实施例提供一种低成本、高产量及高可靠性的无光式光刻工艺。将模板掩模接合至生产工件，且模板掩模包括定义图案的多个开口。通过多个开口对生产工件执行蚀刻，以将模板掩模的图案转移至生产工件。将模板掩模自生产工件分离。本发明也提供一种用于执行无光式光刻工艺的系统。
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公开(公告)号：CN107797378A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710130750.4
申请日：2017-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/62
CPC classification number: G03F1/62
Abstract: 一种石墨烯层的形成方法包括：在第一衬底之上沉积第一材料层；以及在所述第一材料层之上沉积石墨烯层。所述方法还包括：在所述石墨烯层之上沉积非晶硅层；以及将所述非晶硅层结合至第二衬底，从而形成组件。所述方法还包括：使所述组件退火，从而将所述非晶硅层转变成氧化硅层。所述石墨烯层的形成方法还包括：自所述组件移除所述第一衬底；以及自所述组件移除所述第一材料层，从而暴露出所述石墨烯层。
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公开(公告)号：CN101295138A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200710199060.0
申请日：2007-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 游秋山
IPC: G03F7/20 , G03F1/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/64
Abstract: 本发明涉及一种利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置及方法，其是将印框护膜固定于光掩膜上，该印框护膜至少包含护膜框架及与其连接的护膜，印框护膜具有第一孔与第二孔，第一孔与第二孔均连接第一空间与印框护膜外的第二空间，而第一空间由光掩膜与印框护膜环设而成的。在利用能量源穿过印框护膜及光掩膜对光刻层曝光的同时，使第一空间内的气体经由第一孔而外流至印框护膜。
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公开(公告)号：CN1260621C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200410038131.5
申请日：2004-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/72
Abstract: 本发明提供一种去除光罩遮光缺陷的方法，适用于微影用光罩，包含透光基底以及光罩图案层设置于该透光基底表面，其中该光罩图案层中具有至少一遮光缺陷，该方法包含下列步骤：首先覆盖一阻剂于该透光基底表面；接着在透光基底上选定包含遮光缺陷的区域，对该区域再进行相同的光罩图案的曝光显影制程，以形成图案化阻剂，并露出该遮光缺陷。以该图案化阻剂为幕罩，蚀刻该区域以去除遮光缺陷。最后，去除阻剂则形成无遮光缺陷的光罩图案层。而藉此方法所形成的光罩，可用于半导体制程中。
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