-
公开(公告)号：CN101829953B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201010113786.X
申请日：2010-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B57/02
Abstract: 一种化学机械抛光方法及设备提供了可变形的伸缩抛光液分配器臂，该分配器臂连接到分配器头上，分配器头可以为拱形并且还可以是可弯曲的伸缩元件，可以调整该伸缩元件从而改变分配器头的抛光液分配口数量以及曲率程度。分配器臂中可以额外地包括抛光液分配口。分配器臂可以优选由互相可滑动的多个嵌套管形成。可调节分配器臂可以关于旋转点旋转，并能够改变位置以适应用于不同尺寸抛光衬底的不同尺寸的抛光垫，并且可弯曲拉伸的抛光液分配器臂和分配器头在各种情况下可以向任何不同的晶片抛光位置提供了均匀的抛光液分布，有效的抛光液使用以及均匀的抛光液外形。
-
公开(公告)号：CN101898327A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010169032.6
申请日：2010-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B24B53/003 , B24B53/017
Abstract: 一种化学机械抛光(CMP)设备，用于抛光半导体晶片，并用于同时使用多个调节盘调节CMP设备的抛光垫。调节盘可以沿抛光垫的表面一起或独立地移动以调节旋转的抛光垫的整个表面。
-
公开(公告)号：CN100342522C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200410032793.1
申请日：2004-04-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种集成电路的电容结构及其制造方法。提供一基底，其上具有一第一导体层。形成一第一绝缘层于基底上，并覆盖第一导体层。形成一沟槽于部分第一绝缘层中。形成一下电极于沟槽的侧壁上。形成一顺应的介电层于下电极与槽沟的底部上。形成一双镶嵌开口于第一绝缘层中，该开口底部是露出第一导体层。将一导体材料填满沟槽与双镶嵌开口，而同时形成一上电极与一内联机结构。其中，下电极是借由内联机结构而电性连接第一导体层。
-
公开(公告)号：CN101898327B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010169032.6
申请日：2010-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B24B53/003 , B24B53/017
Abstract: 一种化学机械抛光(CMP)设备，用于抛光半导体晶片，并用于同时使用多个调节盘调节CMP设备的抛光垫。调节盘可以沿抛光垫的表面一起或独立地移动以调节旋转的抛光垫的整个表面。
-
公开(公告)号：CN101846451B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201010133401.6
申请日：2010-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/324 , F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: 一种适于晶片的化学汽相淀积工艺的半导体炉。该炉包括热反应室，其具有顶部、底部、侧壁和用于可移动地保持批量垂直堆叠的晶片的内部腔。提供了加热系统，包括多个可旋转的加热器，其设置并运行以加热该室。在一个实施例中，侧壁加热器之间的间距是可调整的。加热系统控制该室内的温度变化，并改进均匀的晶片上的薄膜淀积厚度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102593025A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210022051.5
申请日：2009-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/12
Abstract: 本发明公开一种半导体晶片的多区域温度控制。本发明还公开一种设备，其包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却滚筒或静电盘内部或者与冷却滚筒或静电盘邻近的至少一个流体管道。提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体连接到对应的流体管道的一个上，并被配置以在离子注入工艺过程提供对应不同的冷却剂到多个温度区中一个对应的区域中。冷却剂源分别包括不同的冷却或冷冻单元。
-
公开(公告)号：CN101846451A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010133401.6
申请日：2010-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/324 , F27B17/0025 , H01L21/67109
Abstract: 一种适于晶片的化学汽相淀积工艺的半导体炉。该炉包括热反应室，其具有顶部、底部、侧壁和用于可移动地保持批量垂直堆叠的晶片的内部腔。提供了加热系统，包括多个可旋转的加热器，其设置并运行以加热该室。在一个实施例中，侧壁加热器之间的间距是可调整的。加热系统控制该室内的温度变化，并改进均匀的晶片上的薄膜淀积厚度。
-
公开(公告)号：CN101807512A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910252738.6
申请日：2009-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , H01L21/265
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/12
Abstract: 一种设备包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却滚筒或静电盘内部或者与冷却滚筒或静电盘邻近的至少一个流体管道。提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体连接到对应的流体管道的一个上，并被配置以在离子注入工艺过程提供对应不同的冷却剂到多个温度区中一个对应的区域中。冷却剂源分别包括不同的冷却或冷冻单元。
-
公开(公告)号：CN101231939A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710135811.2
申请日：2007-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L22/20
Abstract: 本发明是有关于一种控制氮化硅蚀刻槽的装置与方法，其提供容纳有被加热至高温的磷酸的蚀刻槽。磷酸中的硅浓度被控制以维持在一所欲的位准，此所欲的位准是与所欲的氮化硅对氧化硅的蚀刻选择比相关。硅浓度的量测是在硅处于可溶解状态且二氧化硅尚未沉淀出之前进行。为回应前述的量测步骤，在需要维持所欲的浓度、氮化硅对氧化硅的蚀刻选择比、及避免二氧化硅沉淀出时，加入被加热的新磷酸至蚀刻槽中。此被加热的新磷酸的加入可使蚀刻槽维持在一稳定状态温度。可使用原子吸收光谱仪来监控硅浓度，此硅浓度的获得是以冷去离子水稀释磷酸样本并在二氧化硅沉淀尚未发生前进行量测。
-
公开(公告)号：CN1585108A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410032793.1
申请日：2004-04-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种集成电路的电容结构及其制造方法。提供一基底，其上具有一第一导体层。形成一第一绝缘层于基底上，并覆盖第一导体层。形成一沟槽于部分第一绝缘层中。形成一下电极于沟槽的侧壁上。形成一顺应的介电层于下电极与槽沟的底部上。形成一双镶嵌开口于第一绝缘层中，该开口底部是露出第一导体层。将一导体材料填满沟槽与双镶嵌开口，而同时形成一上电极与一内联机结构。其中，下电极是借由内联机结构而电性连接第一导体层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.024 seconds)
