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公开(公告)号：CN102593025A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210022051.5
申请日：2009-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/12
Abstract: 本发明公开一种半导体晶片的多区域温度控制。本发明还公开一种设备，其包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却滚筒或静电盘内部或者与冷却滚筒或静电盘邻近的至少一个流体管道。提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体连接到对应的流体管道的一个上，并被配置以在离子注入工艺过程提供对应不同的冷却剂到多个温度区中一个对应的区域中。冷却剂源分别包括不同的冷却或冷冻单元。
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公开(公告)号：CN102593025B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210022051.5
申请日：2009-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/12
Abstract: 本发明公开一种半导体晶片的多区域温度控制。本发明还公开一种设备，其包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却滚筒或静电盘内部或者与冷却滚筒或静电盘邻近的至少一个流体管道。提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体连接到对应的流体管道的一个上，并被配置以在离子注入工艺过程提供对应不同的冷却剂到多个温度区中一个对应的区域中。冷却剂源分别包括不同的冷却或冷冻单元。
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公开(公告)号：CN101853008B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201010129593.3
申请日：2010-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67276 , G05B13/044
Abstract: 本发明的一实施例提供一种先进工艺控制方法和系统，适用于半导体制造，其中控制方法包括：提供即将被半导体机台处理的目前晶片；提供半导体制造机台所处理过的多个先前晶片的第一数据；将噪声自第一数据去耦合，用以产生第二数据；根据第二数据与目标数据的邻近程度，评估先进工艺控制执行效能；根据上述先进工艺控制执行效能，决定控制参数；以及根据控制参数，控制半导体制造机台，用以处理目前晶片。
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公开(公告)号：CN101923289B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010145557.6
申请日：2010-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种用于监测直写系统的覆盖的方法。该方法包括提供衬底，该衬底具有通过直写系统形成在其上的构图，产生相关于衬底构图的数据，通过应用转换矩阵分解数据，以及基于分解的数据确定覆盖指数，覆盖指数对应于衬底构图相对于目标构图的变化分量。还公开了一种监测电子束覆盖并提供先进过程控制的方法和系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101853776B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910215218.8
申请日：2009-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , G05B19/418
CPC classification number: G05B21/02 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体制造方法。该方法包括：对第一多个半导体晶片执行第一工艺；基于工艺质量确定所述第一多个半导体晶片的采样率；确定所述第一多个半导体晶片的采样区域和采样点；根据所述采样率、所述采样区域以及所述采样点，测量所述第一多个半导体晶片的子集；根据所述测量修正第二工艺；以及对第二多个半导体晶片应用第二工艺。
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公开(公告)号：CN101923289A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010145557.6
申请日：2010-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种用于监测直写系统的覆盖的方法。该方法包括提供衬底，该衬底具有通过直写系统形成在其上的构图，产生相关于衬底构图的数据，通过应用转换矩阵分解数据，以及基于分解的数据确定覆盖指数，覆盖指数对应于衬底构图相对于目标构图的变化分量。还公开了一种监测电子束覆盖并提供先进过程控制的方法和系统。
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公开(公告)号：CN101853776A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200910215218.8
申请日：2009-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , G05B19/418
CPC classification number: G05B21/02 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体制造方法。该方法包括：对第一多个半导体晶片执行第一工艺；基于工艺质量确定所述第一多个半导体晶片的采样率；确定所述第一多个半导体晶片的采样区域和采样点；根据所述采样率、所述采样区域以及所述采样点，测量所述第一多个半导体晶片的子集；根据所述测量修正第二工艺；以及对第二多个半导体晶片应用第二工艺。
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公开(公告)号：CN101853008A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010129593.3
申请日：2010-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67276 , G05B13/044
Abstract: 本发明的一实施例提供一种先进工艺控制方法和系统，适用于半导体制造，其中控制方法包括：提供即将被半导体机台处理的目前晶片；提供半导体制造机台所处理过的多个先前晶片的第一数据；将噪声自第一数据去耦合，用以产生第二数据；根据第二数据与目标数据的邻近程度，评估先进工艺控制执行效能；根据上述先进工艺控制执行效能，决定控制参数；以及根据控制参数，控制半导体制造机台，用以处理目前晶片。
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公开(公告)号：CN101807512A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910252738.6
申请日：2009-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/66 , H01L21/265
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/12
Abstract: 一种设备包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却滚筒或静电盘内部或者与冷却滚筒或静电盘邻近的至少一个流体管道。提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体连接到对应的流体管道的一个上，并被配置以在离子注入工艺过程提供对应不同的冷却剂到多个温度区中一个对应的区域中。冷却剂源分别包括不同的冷却或冷冻单元。
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