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公开(公告)号：CN107065438A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610809128.1
申请日：2016-09-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请涉及用于光刻的场内过程控制。在一些实施例中，本申请案涉及一种用于光刻工具的过程控制的方法及系统。所述方法将参考图案转印到参考工件的曝光场以形成重叠参考层对。测量所述重叠参考层之间的未对准以形成第一基线映图及第二基线映图，且从所述第一基线映图及所述第二基线映图形成Δ基线映图。将生产图案转印到生产工件的曝光场以形成在第一生产层上方进行布置且与第一生产层对准的第二生产层。测量所述第一生产层与所述第二生产层之间的未对准以形成生产映图。变换所述Δ基线映图且随后与所述生产映图相加，以形成最终生产映图。基于所述最终生产映图更新处理工具的参数。
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公开(公告)号：CN103577624A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310022708.2
申请日：2013-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068 , G06F2217/12 , Y02P90/265
Abstract: 本发明描述了一种优化DFM模拟的方法。该方法包括接收具有特征的集成电路(IC)设计数据，接收具有一个参数或多个参数的工艺数据，执行DFM模拟，以及优化DFM模拟。执行DFM模拟包括使用IC设计数据和工艺数据来生成模拟输出数据。优化DFM模拟包括通过DFM模拟来生成参数或多个参数的性能指数。优化DFM模拟包括在外部循环、中间循环和内部循环中调整参数或多个参数。优化DFM模拟还包括在参数或多个参数的范围以上定位参数或多个参数的性能指数的最低点。本发明还提供了一种优化可制造性设计(DFM)的方法。
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公开(公告)号：CN101908495A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010116662.7
申请日：2010-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01R31/2894 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供一种虚拟测量先进工艺控制系统。在一实施例中，虚拟测量先进工艺控制系统包括工艺设备、测量设备与虚拟测量模块。工艺设备根据所接收的多个工艺输入，处理多个晶片；测量设备，用以测量至少一个晶片的特性，并且产生真实测量数据，其中晶片包括至少一个品管样品晶片；虚拟测量模块，用以为每一个晶片产生预估测量数据；以及先进工艺控制器，用以接受预估测量数据与真实测量数据，并且根据预估测量数据与真实测量数据，产生工艺设备的工艺输入。本发明的虚拟测量先进工艺控制系统在逐片晶片控制的基础上，更新或调整后的工艺参数毋需执行个别的测量步骤。本发明还提供一种虚拟测量先进工艺控制平台的设置方法。
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公开(公告)号：CN101840207A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010136008.2
申请日：2010-03-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05B13/024 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供一种先进工艺控制方法和装置，所述方法包括：将第一变数设定为初始值；将第二变数设定为初始值；在先进工艺控制的控制下，根据第一和第二变数的每一个的函数来操作工具；测量第一和第二参数，其中第一和第二参数是不同的，并且有关于工具的操作；根据第一参数的函数，决定第一变数的新变数值，并根据第二参数的函数与第二变数的目前变数值，计算第二变数的新变数值；以及重复上述操作、测量、决定和计算步骤。本发明的技术方案有益于改善先进工艺控制的效能，并减少先进工艺控制的多重输入间的干扰。
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公开(公告)号：CN107065438B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201610809128.1
申请日：2016-09-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请涉及用于光刻的场内过程控制。在一些实施例中，本申请案涉及一种用于光刻工具的过程控制的方法及系统。所述方法将参考图案转印到参考工件的曝光场以形成重叠参考层对。测量所述重叠参考层之间的未对准以形成第一基线映图及第二基线映图，且从所述第一基线映图及所述第二基线映图形成Δ基线映图。将生产图案转印到生产工件的曝光场以形成在第一生产层上方进行布置且与第一生产层对准的第二生产层。测量所述第一生产层与所述第二生产层之间的未对准以形成生产映图。变换所述Δ基线映图且随后与所述生产映图相加，以形成最终生产映图。基于所述最终生产映图更新处理工具的参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103577624B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201310022708.2
申请日：2013-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068 , G06F2217/12 , Y02P90/265
Abstract: 本发明描述了一种优化DFM模拟的方法。该方法包括接收具有特征的集成电路(IC)设计数据，接收具有一个参数或多个参数的工艺数据，执行DFM模拟，以及优化DFM模拟。执行DFM模拟包括使用IC设计数据和工艺数据来生成模拟输出数据。优化DFM模拟包括通过DFM模拟来生成参数或多个参数的性能指数。优化DFM模拟包括在外部循环、中间循环和内部循环中调整参数或多个参数。优化DFM模拟还包括在参数或多个参数的范围以上定位参数或多个参数的性能指数的最低点。本发明还提供了一种优化可制造性设计(DFM)的方法。
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公开(公告)号：CN103151284A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210183589.4
申请日：2012-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: G05B19/18 , G05B2219/45031 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体制造工艺的自动计算边界的系统和方法。该方法包括：选择半导体制造工艺期间进行监测的第一参数。接收第一参数的第一组数值并且确定第一组的群组值。正规化第一组数值中的每个数值。基于第一组中的数值数目选择第一权重因子。实施例还包括：生成第一边界值和第二边界值作为权重因子、第一组正规化数值和第一组的群组值的函数，并且应用第一边界值和第二边界值来控制半导体制造工艺。本发明还提供了用于半导体工艺的自动边界控制的系统和方法。
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公开(公告)号：CN101859695B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201010158437.X
申请日：2010-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05B19/41875 , H01L22/12 , H01L22/20 , Y02P90/22 , Y02P90/26
Abstract: 本发明提供一种由半导体晶片制造集成电路的装置和方法，该方法包括：对上述半导体晶片进行第一工艺；取得第一测量数据，用以指出已执行的第一工艺的正确性；使用第一测量数据，用以产生测量校正数据，其中测量校正数据包括有效部分以及无效部分；去除测量校正数据的无效部分，并且以测量校正模型模型化测量校正数据的有效部分；结合测量校正模型与第一工艺的第一工艺模型，用以产生多重解析模型，其中第一工艺模型模型化第一道工艺的输入输出关系；以及分析多重解析模型的响应与第二测量数据，用以控制第二工艺的成效。本发明用以增加先进工艺控制的控制器模块的控制有效性。
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公开(公告)号：CN102243494B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201010541604.9
申请日：2010-11-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/30 , G05B19/418 , H01L21/00
CPC classification number: G06F7/00 , G05B19/41865 , G05B2219/31352 , G05B2219/33303 , G06F17/30
Abstract: 本发明提供一种异常处理的方法以及用于工艺控制的异常处理方法，该异常处理方法包括存取一异常事件的一异常类型，根据至少一定义标准，过滤历史数据以提供一数据列，其中数据列包括多数据集，每一数据集包括一历史条件以及一历史控制参数，并且根据每一历史条件，分配一权重系数至每一数据集；以及利用权重系数及历史控制参数，提供一目前控制参数至每一数据集。本发明降低公知处理程序的维持负载，以及降低公知处理程序决定控制参数的计算时间。
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公开(公告)号：CN101872173B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200910167455.1
申请日：2009-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05B19/41865 , G05B2219/32097 , G05B2219/32256 , G05B2219/32324 , G05B2219/45031 , G06Q10/087 , Y02P90/14 , Y02P90/20
Abstract: 本发明揭示一种半导体产品级别控制的方法，应用于制造集成电路元件，其中，产品级别与集成电路所呈现一种或多种特性有关，半导体产品级别控制的方法包括：对多个晶片批次，执行多个工艺；决定所需产品级别数量、现有产品级别数量与生产中产品级别数量；将已决定的所需产品级别数量，与已决定的现有产品级别数量以及已决定的预估生产中产品级别数量作比较；以及若已决定的现有产品级别数量与已决定的预估生产中产品级别数量无法满足已决定的所需产品级别数量，则修正晶片批次的工艺中的至少一者。本发明的方法能有效控制产品级别的数量并能动态地迎合客户的产品级别需求。
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