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公开(公告)号：CN102243494B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201010541604.9
申请日：2010-11-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/30 , G05B19/418 , H01L21/00
CPC classification number: G06F7/00 , G05B19/41865 , G05B2219/31352 , G05B2219/33303 , G06F17/30
Abstract: 本发明提供一种异常处理的方法以及用于工艺控制的异常处理方法，该异常处理方法包括存取一异常事件的一异常类型，根据至少一定义标准，过滤历史数据以提供一数据列，其中数据列包括多数据集，每一数据集包括一历史条件以及一历史控制参数，并且根据每一历史条件，分配一权重系数至每一数据集；以及利用权重系数及历史控制参数，提供一目前控制参数至每一数据集。本发明降低公知处理程序的维持负载，以及降低公知处理程序决定控制参数的计算时间。
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公开(公告)号：CN101908495A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010116662.7
申请日：2010-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01R31/2894 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供一种虚拟测量先进工艺控制系统。在一实施例中，虚拟测量先进工艺控制系统包括工艺设备、测量设备与虚拟测量模块。工艺设备根据所接收的多个工艺输入，处理多个晶片；测量设备，用以测量至少一个晶片的特性，并且产生真实测量数据，其中晶片包括至少一个品管样品晶片；虚拟测量模块，用以为每一个晶片产生预估测量数据；以及先进工艺控制器，用以接受预估测量数据与真实测量数据，并且根据预估测量数据与真实测量数据，产生工艺设备的工艺输入。本发明的虚拟测量先进工艺控制系统在逐片晶片控制的基础上，更新或调整后的工艺参数毋需执行个别的测量步骤。本发明还提供一种虚拟测量先进工艺控制平台的设置方法。
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公开(公告)号：CN101859695A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010158437.X
申请日：2010-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05B19/41875 , H01L22/12 , H01L22/20 , Y02P90/22 , Y02P90/26
Abstract: 本发明提供一种由半导体晶片制造集成电路的装置和方法，该方法包括：对上述半导体晶片进行第一工艺；取得第一测量数据，用以指出已执行的第一工艺的正确性；使用第一测量数据，用以产生测量校正数据，其中测量校正数据包括有效部分以及无效部分；去除测量校正数据的无效部分，并且以测量校正模型模型化测量校正数据的有效部分；结合测量校正模型与第一工艺的第一工艺模型，用以产生多重解析模型，其中第一工艺模型模型化第一道工艺的输入输出关系；以及分析多重解析模型的响应与第二测量数据，用以控制第二工艺的成效。本发明用以增加先进工艺控制的控制器模块的控制有效性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101859695B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201010158437.X
申请日：2010-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05B19/41875 , H01L22/12 , H01L22/20 , Y02P90/22 , Y02P90/26
Abstract: 本发明提供一种由半导体晶片制造集成电路的装置和方法，该方法包括：对上述半导体晶片进行第一工艺；取得第一测量数据，用以指出已执行的第一工艺的正确性；使用第一测量数据，用以产生测量校正数据，其中测量校正数据包括有效部分以及无效部分；去除测量校正数据的无效部分，并且以测量校正模型模型化测量校正数据的有效部分；结合测量校正模型与第一工艺的第一工艺模型，用以产生多重解析模型，其中第一工艺模型模型化第一道工艺的输入输出关系；以及分析多重解析模型的响应与第二测量数据，用以控制第二工艺的成效。本发明用以增加先进工艺控制的控制器模块的控制有效性。
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公开(公告)号：CN102201323B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201010246707.2
申请日：2010-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B2219/32017 , G05B2219/32189 , G05B2219/45031 , Y02P90/22
Abstract: 本发明提供一种半导体制造的方法及系统以及制造半导体装置的方法。该半导体制造的方法包括提供一晶片的一装置参数的一模型作为第一及第二工艺参数的一函数。该第一及第二工艺参数分别对应不同晶片特性。该方法包括根据该装置参数的一特定目标值推导该第一及第二工艺参数的目标值。该方法包括对应该第一工艺参数的该目标值实施一第一工艺。该方法包括测量该第一工艺参数的一实际值。该方法包括使用该第一工艺参数的该实际值更新该模型。使用该更新的模型推导该第二工艺参数的一修正目标值。该方法包括对应该第二工艺参数的该修正目标值实施一第二工艺。本发明能改良晶片性能与良率。
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公开(公告)号：CN101908495B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010116662.7
申请日：2010-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01R31/2894 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供一种虚拟测量工艺控制系统。在一实施例中，虚拟测量工艺控制系统包括工艺设备、测量设备与虚拟测量模块。工艺设备根据所接收的多个工艺输入，处理多个晶片；测量设备，用以测量至少一个晶片的特性，并且产生真实测量数据，其中晶片包括至少一个品管样品晶片；虚拟测量模块，用以为每一个晶片产生预估测量数据；以及工艺控制器，用以接受预估测量数据与真实测量数据，并且根据预估测量数据与真实测量数据，产生工艺设备的工艺输入。本发明的虚拟测量工艺控制系统在逐片晶片控制的基础上，更新或调整后的工艺参数毋需执行个别的测量步骤。
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公开(公告)号：CN102243494A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010541604.9
申请日：2010-11-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B19/418 , H01L21/00
CPC classification number: G06F7/00 , G05B19/41865 , G05B2219/31352 , G05B2219/33303 , G06F17/30
Abstract: 本发明提供一种异常处理的方法以及用于工艺控制的异常处理方法，该异常处理方法包括存取一异常事件的一异常类型，根据至少一定义标准，过滤历史数据以提供一数据列，其中数据列包括多数据集，每一数据集包括一历史条件以及一历史控制参数，并且根据每一历史条件，分配一权重系数至每一数据集；以及利用权重系数及历史控制参数，提供一目前控制参数至每一数据集。本发明降低公知处理程序的维持负载，以及降低公知处理程序决定控制参数的计算时间。
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公开(公告)号：CN102201323A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010246707.2
申请日：2010-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B2219/32017 , G05B2219/32189 , G05B2219/45031 , Y02P90/22
Abstract: 本发明提供一种半导体制造的方法及系统以及制造半导体装置的方法。该半导体制造的方法包括提供一晶片的一装置参数的一模型作为第一及第二工艺参数的一函数。该第一及第二工艺参数分别对应不同晶片特性。该方法包括根据该装置参数的一特定目标值推导该第一及第二工艺参数的目标值。该方法包括对应该第一工艺参数的该目标值实施一第一工艺。该方法包括测量该第一工艺参数的一实际值。该方法包括使用该第一工艺参数的该实际值更新该模型。使用该更新的模型推导该第二工艺参数的一修正目标值。该方法包括对应该第二工艺参数的该修正目标值实施一第二工艺。本发明能改良晶片性能与良率。
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