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公开(公告)号：CN103714191B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310231147.7
申请日：2013-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/50 , G03F7/70533 , G03F7/70616 , G05B23/024
Abstract: 本发明公开了一种用于分析半导体加工系统的异常的方法，提供了对用于多个加工晶圆中的每个加工晶圆的多个工艺步骤的每个工艺步骤处与多个工具中的每个工具相关联的生产历史进行方差分析，以及确定关键工艺步骤。对每个工艺步骤处的多个晶圆的多个测量值进行回归分析，并且确定关键测量参数。对关键测量参数和关键工艺步骤进行协方差分析，并且基于f比率对关键工艺步骤进行排序，其中对关键工艺步骤的异常进行排序。而且，基于与协方差分析相关联的正交t比率来对与关键工艺步骤的每个工艺步骤相关联的多个工具排序，其中对与关键工艺步骤相关联的每个工具的异常进行排序。本发明还提供了用于异常工具和阶段诊断的2D/3D分析。
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公开(公告)号：CN103577624A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310022708.2
申请日：2013-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068 , G06F2217/12 , Y02P90/265
Abstract: 本发明描述了一种优化DFM模拟的方法。该方法包括接收具有特征的集成电路(IC)设计数据，接收具有一个参数或多个参数的工艺数据，执行DFM模拟，以及优化DFM模拟。执行DFM模拟包括使用IC设计数据和工艺数据来生成模拟输出数据。优化DFM模拟包括通过DFM模拟来生成参数或多个参数的性能指数。优化DFM模拟包括在外部循环、中间循环和内部循环中调整参数或多个参数。优化DFM模拟还包括在参数或多个参数的范围以上定位参数或多个参数的性能指数的最低点。本发明还提供了一种优化可制造性设计(DFM)的方法。
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公开(公告)号：CN103489807A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210359849.9
申请日：2012-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
CPC classification number: G01R1/07364 , G01R1/06705 , G01R31/2887 , G01R31/2891 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 公开了对准诸如晶圆级测试探针的探针和晶圆接触件的系统和方法。一种示例性方法包括在晶圆测试系统接收包括多个对准接触件的晶圆和包括多个探测点的探针卡。接收历史偏差校正。基于该历史偏差校正，确定探针卡相对于晶圆的方位值。使用方位值对准探针卡和晶圆以试图使得第一探测点接触第一对准接触件。评价第一探测点和第一对准接触件的连接性。利用对准的探针卡实施晶圆的电测试，以及基于方位值更新历史偏差校正。
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公开(公告)号：CN103577624B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201310022708.2
申请日：2013-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068 , G06F2217/12 , Y02P90/265
Abstract: 本发明描述了一种优化DFM模拟的方法。该方法包括接收具有特征的集成电路(IC)设计数据，接收具有一个参数或多个参数的工艺数据，执行DFM模拟，以及优化DFM模拟。执行DFM模拟包括使用IC设计数据和工艺数据来生成模拟输出数据。优化DFM模拟包括通过DFM模拟来生成参数或多个参数的性能指数。优化DFM模拟包括在外部循环、中间循环和内部循环中调整参数或多个参数。优化DFM模拟还包括在参数或多个参数的范围以上定位参数或多个参数的性能指数的最低点。本发明还提供了一种优化可制造性设计(DFM)的方法。
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公开(公告)号：CN103137513B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210074960.3
申请日：2012-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了监测集成电路制造系统的工艺设备的方法和系统。一种示例性方法包括限定集成电路制造工艺设备的区域；基于所限定的区域将集成电路制造工艺设备的参数分组；并且基于所分组的参数评估集成电路制造工艺设备的状态。本发明还公开了集成电路制造设备状态监测系统和方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103151284A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210183589.4
申请日：2012-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: G05B19/18 , G05B2219/45031 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体制造工艺的自动计算边界的系统和方法。该方法包括：选择半导体制造工艺期间进行监测的第一参数。接收第一参数的第一组数值并且确定第一组的群组值。正规化第一组数值中的每个数值。基于第一组中的数值数目选择第一权重因子。实施例还包括：生成第一边界值和第二边界值作为权重因子、第一组正规化数值和第一组的群组值的函数，并且应用第一边界值和第二边界值来控制半导体制造工艺。本发明还提供了用于半导体工艺的自动边界控制的系统和方法。
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公开(公告)号：CN102593025A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210022051.5
申请日：2009-12-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/12
Abstract: 本发明公开一种半导体晶片的多区域温度控制。本发明还公开一种设备，其包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却滚筒或静电盘内部或者与冷却滚筒或静电盘邻近的至少一个流体管道。提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体连接到对应的流体管道的一个上，并被配置以在离子注入工艺过程提供对应不同的冷却剂到多个温度区中一个对应的区域中。冷却剂源分别包括不同的冷却或冷冻单元。
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公开(公告)号：CN101859695B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201010158437.X
申请日：2010-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05B19/41875 , H01L22/12 , H01L22/20 , Y02P90/22 , Y02P90/26
Abstract: 本发明提供一种由半导体晶片制造集成电路的装置和方法，该方法包括：对上述半导体晶片进行第一工艺；取得第一测量数据，用以指出已执行的第一工艺的正确性；使用第一测量数据，用以产生测量校正数据，其中测量校正数据包括有效部分以及无效部分；去除测量校正数据的无效部分，并且以测量校正模型模型化测量校正数据的有效部分；结合测量校正模型与第一工艺的第一工艺模型，用以产生多重解析模型，其中第一工艺模型模型化第一道工艺的输入输出关系；以及分析多重解析模型的响应与第二测量数据，用以控制第二工艺的成效。本发明用以增加先进工艺控制的控制器模块的控制有效性。
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公开(公告)号：CN117352408A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311171656.5
申请日：2023-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及确定凹凸质感图及形成凹凸阵列的系统和方法。本发明实施例提供一种方法。所述方法包含确定指示凹凸的第一组位置的第一凹凸质感图。所述方法包含基于所述第一凹凸质感图确定与所述第一凹凸质感图的多个区相关联的第一多个凹凸密度。所述方法包含平滑化所述第一多个凹凸密度以确定与所述第一凹凸质感图的所述多个区相关联的第二多个凹凸密度。所述方法包含基于所述第二多个凹凸密度确定指示所述凹凸的所述第一组位置及所述凹凸的一组大小的第二凹凸质感图。
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公开(公告)号：CN102063063B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201010284962.6
申请日：2010-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67253 , G05B19/41865 , H01L21/67276 , Y02P90/20
Abstract: 本发明提供一种半导体制造方法及系统，该方法包括：提供一产品的产品数据，该产品数据包括一敏感产品参数；依据该敏感产品参数搜寻既存产品以从既存产品识别出相关产品；使用该相关产品的对应数据消除一处理模型参数的一初始值；将该处理模型参数的该初始值指派给与一制造程序相关的一处理模型；使用该处理模型调整一处理配方；以及使用该处理配方而对一半导体晶片执行该制造程序。本发明能持续改善半导体先进工艺控制，减少时间及制造成本。
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