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公开(公告)号：CN102063063B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201010284962.6
申请日：2010-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67253 , G05B19/41865 , H01L21/67276 , Y02P90/20
Abstract: 本发明提供一种半导体制造方法及系统，该方法包括：提供一产品的产品数据，该产品数据包括一敏感产品参数；依据该敏感产品参数搜寻既存产品以从既存产品识别出相关产品；使用该相关产品的对应数据消除一处理模型参数的一初始值；将该处理模型参数的该初始值指派给与一制造程序相关的一处理模型；使用该处理模型调整一处理配方；以及使用该处理配方而对一半导体晶片执行该制造程序。本发明能持续改善半导体先进工艺控制，减少时间及制造成本。
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公开(公告)号：CN103151284B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210183589.4
申请日：2012-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: G05B19/18 , G05B2219/45031 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体制造工艺的自动计算边界的系统和方法。该方法包括：选择半导体制造工艺期间进行监测的第一参数。接收第一参数的第一组数值并且确定第一组的群组值。正规化第一组数值中的每个数值。基于第一组中的数值数目选择第一权重因子。实施例还包括：生成第一边界值和第二边界值作为权重因子、第一组正规化数值和第一组的群组值的函数，并且应用第一边界值和第二边界值来控制半导体制造工艺。本发明还提供了用于半导体工艺的自动边界控制的系统和方法。
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公开(公告)号：CN102201323B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201010246707.2
申请日：2010-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B2219/32017 , G05B2219/32189 , G05B2219/45031 , Y02P90/22
Abstract: 本发明提供一种半导体制造的方法及系统以及制造半导体装置的方法。该半导体制造的方法包括提供一晶片的一装置参数的一模型作为第一及第二工艺参数的一函数。该第一及第二工艺参数分别对应不同晶片特性。该方法包括根据该装置参数的一特定目标值推导该第一及第二工艺参数的目标值。该方法包括对应该第一工艺参数的该目标值实施一第一工艺。该方法包括测量该第一工艺参数的一实际值。该方法包括使用该第一工艺参数的该实际值更新该模型。使用该更新的模型推导该第二工艺参数的一修正目标值。该方法包括对应该第二工艺参数的该修正目标值实施一第二工艺。本发明能改良晶片性能与良率。
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公开(公告)号：CN102201323A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010246707.2
申请日：2010-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B2219/32017 , G05B2219/32189 , G05B2219/45031 , Y02P90/22
Abstract: 本发明提供一种半导体制造的方法及系统以及制造半导体装置的方法。该半导体制造的方法包括提供一晶片的一装置参数的一模型作为第一及第二工艺参数的一函数。该第一及第二工艺参数分别对应不同晶片特性。该方法包括根据该装置参数的一特定目标值推导该第一及第二工艺参数的目标值。该方法包括对应该第一工艺参数的该目标值实施一第一工艺。该方法包括测量该第一工艺参数的一实际值。该方法包括使用该第一工艺参数的该实际值更新该模型。使用该更新的模型推导该第二工艺参数的一修正目标值。该方法包括对应该第二工艺参数的该修正目标值实施一第二工艺。本发明能改良晶片性能与良率。
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公开(公告)号：CN101853008A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010129593.3
申请日：2010-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67276 , G05B13/044
Abstract: 本发明的一实施例提供一种先进工艺控制方法和系统，适用于半导体制造，其中控制方法包括：提供即将被半导体机台处理的目前晶片；提供半导体制造机台所处理过的多个先前晶片的第一数据；将噪声自第一数据去耦合，用以产生第二数据；根据第二数据与目标数据的邻近程度，评估先进工艺控制执行效能；根据上述先进工艺控制执行效能，决定控制参数；以及根据控制参数，控制半导体制造机台，用以处理目前晶片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1329950C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200410083729.6
申请日：2004-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05B19/41875 , Y02P90/22
Abstract: 一种具有防止制程污染的制造系统，其包括多个制程机台、污染属性确认系统及污染防制系统。上述制程机台用以处理在制品，其具有贡献污染属性设定值及拒绝污染属性设定值。上述污染属性确认系统用以确认上述贡献/拒绝污染属性设定值的设定为正确。上述污染防制系统于上述制程机台接受上述在制品前，检查上述在制品的第一产品污染属性设定值是否符合上述拒绝污属性设定值，并于上述制程机台接受及处理上述在制品时，根据上述贡献污染属性设定值，对上述产品污染属性设定值分别产生中途污染属性设定值及第二产品污染属性设定值。
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公开(公告)号：CN103151284A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210183589.4
申请日：2012-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: G05B19/18 , G05B2219/45031 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体制造工艺的自动计算边界的系统和方法。该方法包括：选择半导体制造工艺期间进行监测的第一参数。接收第一参数的第一组数值并且确定第一组的群组值。正规化第一组数值中的每个数值。基于第一组中的数值数目选择第一权重因子。实施例还包括：生成第一边界值和第二边界值作为权重因子、第一组正规化数值和第一组的群组值的函数，并且应用第一边界值和第二边界值来控制半导体制造工艺。本发明还提供了用于半导体工艺的自动边界控制的系统和方法。
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公开(公告)号：CN101853008B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201010129593.3
申请日：2010-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67276 , G05B13/044
Abstract: 本发明的一实施例提供一种先进工艺控制方法和系统，适用于半导体制造，其中控制方法包括：提供即将被半导体机台处理的目前晶片；提供半导体制造机台所处理过的多个先前晶片的第一数据；将噪声自第一数据去耦合，用以产生第二数据；根据第二数据与目标数据的邻近程度，评估先进工艺控制执行效能；根据上述先进工艺控制执行效能，决定控制参数；以及根据控制参数，控制半导体制造机台，用以处理目前晶片。
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公开(公告)号：CN102063063A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010284962.6
申请日：2010-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67253 , G05B19/41865 , H01L21/67276 , Y02P90/20
Abstract: 本发明提供一种半导体制造方法及系统，该方法包括：提供一产品的产品数据，该产品数据包括一敏感产品参数；依据该敏感产品参数搜寻既存产品以从既存产品识别出相关产品；使用该相关产品的对应数据消除一处理模型参数的一初始值；将该处理模型参数的该初始值指派给与一制造程序相关的一处理模型；使用该处理模型调整一处理配方；以及使用该处理配方而对一半导体晶片执行该制造程序。本发明能持续改善半导体先进工艺控制，减少时间及制造成本。
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公开(公告)号：CN1664985A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410083729.6
申请日：2004-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05B19/41875 , Y02P90/22
Abstract: 一种具有防止制程污染的制造系统，其包括多个制程机台、污染属性确认系统及污染防制系统。上述制程机台用以处理在制品，其具有贡献污染属性设定值及拒绝污染属性设定值。上述污染属性确认系统用以确认上述贡献/拒绝污染属性设定值的设定为正确。上述污染防制系统于上述制程机台接受上述在制品前，检查上述在制品的第一产品污染属性设定值是否符合上述拒绝污属性设定值，并于上述制程机台接受及处理上述在制品时，根据上述贡献污染属性设定值，对上述产品污染属性设定值分别产生中途污染属性设定值及第二产品污染属性设定值。
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