公开(公告)号：CN1674232A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200410083727.7

申请日：2004-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高耀寰 ,  黄柏昌 ,  洪明永 ,  黄基哲

IPC: H01L21/302 ,  F26B3/02 ,  B08B3/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/02 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明为一种冲洗一半导体晶片的一基材且使其干燥的方法与装置，该装置具有一第一喷嘴与一第二喷嘴。第一喷嘴对着此基材施加分配冲洗液。第二喷嘴在一使干燥的周期期间对着此基材施加分配处于压力下的干燥气体，以完全地使此基材干燥。当此基材旋转时，第二喷嘴能指向此基材。第一喷嘴与第二喷嘴能被一机器臂所定位。

公开(公告)号：CN101853008A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010129593.3

申请日：2010-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾衍迪 ,  许志维 ,  洪明永 ,  范明煜 ,  王若飞 ,  牟忠一

IPC: G05B19/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67276 ,  G05B13/044

Abstract: 本发明的一实施例提供一种先进工艺控制方法和系统，适用于半导体制造，其中控制方法包括：提供即将被半导体机台处理的目前晶片；提供半导体制造机台所处理过的多个先前晶片的第一数据；将噪声自第一数据去耦合，用以产生第二数据；根据第二数据与目标数据的邻近程度，评估先进工艺控制执行效能；根据上述先进工艺控制执行效能，决定控制参数；以及根据控制参数，控制半导体制造机台，用以处理目前晶片。

公开(公告)号：CN101853008B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201010129593.3

申请日：2010-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾衍迪 ,  许志维 ,  洪明永 ,  范明煜 ,  王若飞 ,  牟忠一

IPC: G05B19/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67276 ,  G05B13/044

Abstract: 本发明的一实施例提供一种先进工艺控制方法和系统，适用于半导体制造，其中控制方法包括：提供即将被半导体机台处理的目前晶片；提供半导体制造机台所处理过的多个先前晶片的第一数据；将噪声自第一数据去耦合，用以产生第二数据；根据第二数据与目标数据的邻近程度，评估先进工艺控制执行效能；根据上述先进工艺控制执行效能，决定控制参数；以及根据控制参数，控制半导体制造机台，用以处理目前晶片。