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公开(公告)号：CN102063063B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201010284962.6
申请日：2010-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67253 , G05B19/41865 , H01L21/67276 , Y02P90/20
Abstract: 本发明提供一种半导体制造方法及系统，该方法包括：提供一产品的产品数据，该产品数据包括一敏感产品参数；依据该敏感产品参数搜寻既存产品以从既存产品识别出相关产品；使用该相关产品的对应数据消除一处理模型参数的一初始值；将该处理模型参数的该初始值指派给与一制造程序相关的一处理模型；使用该处理模型调整一处理配方；以及使用该处理配方而对一半导体晶片执行该制造程序。本发明能持续改善半导体先进工艺控制，减少时间及制造成本。
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公开(公告)号：CN101192050A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200610161128.1
申请日：2006-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B19/02 , G05B19/418
CPC classification number: G05B13/048
Abstract: 本发明揭露一种过滤制程数据的方法及其系统，用以过滤送到一统计控制模型的制程数据，以提升该控制模型的性能。该数据过滤器从一组制程数据中选取一组样版数据、形成包括该组样版数据以及一组采样数据的一组网格、并计算出该组网格中的一网格的每一点间的一绝对距离以及使用该绝对距离计算出该网格的一点的一最小累加距离。依据该点的该最小累加距离，定义出一整体最佳路径、以及依据该整体最佳路径以及一组参考数据，重新对应该组采样数据以形成一组改变后数据。本发明可将制程数据变成与测量点的一组一致，进而提升制程效能。软件触发器失效问题也可通过消除其他晶圆包含的数据，从异常的晶圆制程中排除。
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公开(公告)号：CN106647177A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610910129.5
申请日：2016-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70483 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , H01L21/67253 , H01L21/67259 , H01L22/12 , G03F7/70975 , G03F7/708
Abstract: 一种微影设备，包括至少一处理腔室、至少一前开式晶圆传送盒(front opening unified pod；FOUP)平台、至少一移动机构，及影像感测器。此移动机构经配置以将晶圆从处理腔室移动至FOUP平台。此影像感测器经配置以撷取在移动机构上的晶圆的影像。
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公开(公告)号：CN103714191A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310231147.7
申请日：2013-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/50 , G03F7/70533 , G03F7/70616 , G05B23/024
Abstract: 本发明公开了一种用于分析半导体加工系统的异常的方法，提供了对用于多个加工晶圆中的每个加工晶圆的多个工艺步骤的每个工艺步骤处与多个工具中的每个工具相关联的生产历史进行方差分析，以及确定关键工艺步骤。对每个工艺步骤处的多个晶圆的多个测量值进行回归分析，并且确定关键测量参数。对关键测量参数和关键工艺步骤进行协方差分析，并且基于f比率对关键工艺步骤进行排序，其中对关键工艺步骤的异常进行排序。而且，基于与协方差分析相关联的正交t比率来对与关键工艺步骤的每个工艺步骤相关联的多个工具排序，其中对与关键工艺步骤相关联的每个工具的异常进行排序。本发明还提供了用于异常工具和阶段诊断的2D/3D分析。
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公开(公告)号：CN102063063A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010284962.6
申请日：2010-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67253 , G05B19/41865 , H01L21/67276 , Y02P90/20
Abstract: 本发明提供一种半导体制造方法及系统，该方法包括：提供一产品的产品数据，该产品数据包括一敏感产品参数；依据该敏感产品参数搜寻既存产品以从既存产品识别出相关产品；使用该相关产品的对应数据消除一处理模型参数的一初始值；将该处理模型参数的该初始值指派给与一制造程序相关的一处理模型；使用该处理模型调整一处理配方；以及使用该处理配方而对一半导体晶片执行该制造程序。本发明能持续改善半导体先进工艺控制，减少时间及制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101504543B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810181222.2
申请日：2008-11-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B19/418 , H01L21/00 , H01L21/66
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明涉及关键工艺参数的提取，提供了一种系统、方法与计算机可读取媒体，以用来提取与选出的装置参数有关的关键工艺参数。在一实施例中，使用基因地图分析来确定关键工艺参数。基因地图分析包括将高度相关的工艺参数分组，并确定群组与选出的装置参数的相关性。在一实施例中，与选出的装置参数有最大相关性的群组会被显示在相关性矩阵和/或基因地图中。
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公开(公告)号：CN101436062B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN200810172710.7
申请日：2008-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B19/418 , H01L21/00 , H01L21/66
CPC classification number: G05B19/41875 , G05B2219/32187 , G05B2219/32188 , G05B2219/32194 , Y02P90/22 , Y10S430/146
Abstract: 一种预测批次工具的晶片结果的方法，包括收集在批次处理工具中以批次处理的一批晶片的制造数据，以形成一批次处理结果；根据制造数据，定义批次处理结果的自由度；以及根据批次处理结果，通过尝试错误法对批次处理结果的最佳函数模型实施一最佳曲线匹配。
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公开(公告)号：CN101335183B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810000237.4
申请日：2008-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67201 , H01L21/67248
Abstract: 本发明涉及一种可控制温度的负载室，其用于半导体工艺。该负载室包括至少一个调节式冷却器、一质量流量控制器、至少一个温度传感器与一控制器。调节式冷却器供应具预定温度的流体至控温板，质量流量控制器供应气流至负载室，也有助于维持理想温度。此外，调节式冷却器和/或质量流量控制器可结合至少一个温度传感器，以提供反馈控制以易于调控温度。控制器也可通过至少一个温度传感器的温度读值来控制调节式冷却器和质量流量控制器。
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