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公开(公告)号：CN115763326A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211012891.3
申请日：2022-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本公开实施例涉及用于在制造工艺期间前开口传送盒装载到设备前端模块上且用于转移半导体晶片衬底时，降低前开口传送盒内的湿度的系统和方法。指定结构的偏转器放置在前开口传送盒的装载口上方的设备前端模块内。偏转器引导设备前端模块中的气流远离装载口。偏转器包括在偏转器主体中具有多个孔且具有倾斜前表面的主体。因此，降低了从设备前端模块进入前开口传送盒的高湿度空气的穿透程度。
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公开(公告)号：CN116200725A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210426613.6
申请日：2022-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/30 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法包括：将一个或多个半导体晶圆装载到工艺腔室内提供的多个站中；将工艺应用于半导体晶圆其中沉积应用于材料上的一个或多个半导体晶圆内的工艺腔室；和清洗工艺腔室。适宜地，清洗和工艺腔室包括将清洗气体流向工艺腔室，流向布置在工艺腔室中的导流板，导流板具有第一表面，流动的清洗气体撞击在第一表面上，第一表面引导流动清洗气体的第一部分以第一轨迹撞击其上朝向工艺腔室的第一端并且引导流动清洗气体的第二部分以第二轨迹撞击其上朝向工艺腔室的第二端，第二端与第一端相对。
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公开(公告)号：CN115253527A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210523780.2
申请日：2022-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例，提供了一种用于支持在半导体晶圆处理空间中的环境控制的方法，该方法包括：在第一方向上流动压力下的第一气体穿过第一扩散器管，从而产生穿过第一扩散器管的侧壁的第一横向气流；在第二方向上流动压力下的第二气体穿过第二扩散器管，从而产生穿过第二扩散器管的侧壁的第二横向气流，第二方向与第一方向相反；在外壳内合并第一横向气流和第二横向气流；以及从外壳输出合并的横向气流以产生覆盖半导体晶圆处理空间的开口的层状气流。根据本申请的另一实施例，还提供了一种用于支持在半导体晶圆处理空间中的环境控制的层状气流过滤器装置。根据本申请的又一实施例，还提供了用于产生层状气流的装置。
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