公开(公告)号：CN116200725A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202210426613.6

申请日：2022-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑光伟 ,  黄宋儒 ,  刘勇村 ,  李志聪 ,  倪其聪

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法包括：将一个或多个半导体晶圆装载到工艺腔室内提供的多个站中；将工艺应用于半导体晶圆其中沉积应用于材料上的一个或多个半导体晶圆内的工艺腔室；和清洗工艺腔室。适宜地，清洗和工艺腔室包括将清洗气体流向工艺腔室，流向布置在工艺腔室中的导流板，导流板具有第一表面，流动的清洗气体撞击在第一表面上，第一表面引导流动清洗气体的第一部分以第一轨迹撞击其上朝向工艺腔室的第一端并且引导流动清洗气体的第二部分以第二轨迹撞击其上朝向工艺腔室的第二端，第二端与第一端相对。

公开(公告)号：CN115565907A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210251053.5

申请日：2022-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘勇村 ,  万昭宏 ,  郑光伟 ,  李志聪 ,  倪其聪

IPC: H01L21/67

Abstract: 本揭露涉及风口扩散器。半导体制作设施的腔室可包含风口扩散器。所述风口扩散器可包含第一管部件，其经配置以将所述风口扩散器耦合到所述腔室的风口。所述风口扩散器可包含第二管部件，其耦合到所述第一管部件。所述第二管部件可包括沿着所述第二管部件的长度隔开的多个开口，其中所述多个开口经配置以从所述腔室接收流体。基于所述半导体制作设施包含所述风口扩散器，所述腔室可经配置以在所述腔室内提供流体的经改善流场。以此方式，所述风口扩散器可减少经由所述腔室输送的半导体装置的原本可能由污染物造成的缺陷。

公开(公告)号：CN114927455A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210201303.4

申请日：2022-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘勇村 ,  郑光伟 ,  杨胜钧 ,  李志聪 ,  倪其聪

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 一种半导体处理工具的吸盘真空管线包含：第一部分，其穿过所述半导体处理工具的主泵管线的侧壁。所述吸盘真空管线包含：第二部分，其实质上平行于所述主泵管线的所述侧壁和所述主泵管线中的流动方向。所述第二部分的尺寸在所述第二部分的入口端与所述第二部分的出口端之间沿着所述主泵管线中的所述流动方向增大。

公开(公告)号：CN105789275A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201410808231.5

申请日：2014-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘勇村

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了具有包括突出底部的栅极间隔件的半导体器件结构及其形成方法。提供了半导体器件结构及其形成方法。该半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的栅极堆叠结构。该半导体器件结构还包括形成在栅极堆叠结构的侧壁上的栅极间隔件，并且栅极间隔件包括顶部和与顶部邻接的底部，底部倾斜至衬底的顶面。该半导体器件结构还包括形成为与栅极间隔件相邻的外延结构，并且外延结构形成在栅极间隔件的下方。

公开(公告)号：CN105789275B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201410808231.5

申请日：2014-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘勇村

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了具有包括突出底部的栅极间隔件的半导体器件结构及其形成方法。提供了半导体器件结构及其形成方法。该半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的栅极堆叠结构。该半导体器件结构还包括形成在栅极堆叠结构的侧壁上的栅极间隔件，并且栅极间隔件包括顶部和与顶部邻接的底部，底部倾斜至衬底的顶面。该半导体器件结构还包括形成为与栅极间隔件相邻的外延结构，并且外延结构形成在栅极间隔件的下方。

公开(公告)号：CN115095684A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210524117.4

申请日：2022-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑光伟 ,  刘勇村 ,  李志聪 ,  倪其聪

IPC: F16K7/12 ,  F16K37/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 可以检测及/或确定阀的隔膜位置，从而可以监测隔膜的操作。包括在阀中的感应器可以产生感应器数据，感应器数据可以用于监测隔膜的位置，其又可以用于确定通过阀的流体的流动。这样，感应器可以用于确定隔膜是否正常工作、可以用于识别和检测隔膜的故障、及/或可以用于快速终止相关联于沉积工具的操作。这可以减少半导体基板废品、可以减少由沉积工具处理的半导体基板上的装置故障、可以提高沉积工具的半导体处理品质、及/或可以增加沉积工具的半导体处理产量。