公开(公告)号：CN109768035B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201811305408.4

申请日：2018-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏文信 ,  胡宪斌 ,  侯上勇 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  庄文荣 ,  陈俊哲 ,  林志明 ,  林志清 ,  黄诗雯 ,  张俊华 ,  谢宗扬

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538

Abstract: 一种中介层衬底制造为具有位于邻近的区域之间的划线区域。在一个实施例中，利用单独的曝光中间掩模以图案化划线区域。曝光中间掩模以图案化划线区域将形成曝光区域，其重叠并悬置该曝光区域用于形成邻近的区域。本发明实施例涉及半导体器件和制造方法。

公开(公告)号：CN109768035A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811305408.4

申请日：2018-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏文信 ,  胡宪斌 ,  侯上勇 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  庄文荣 ,  陈俊哲 ,  林志明 ,  林志清 ,  黄诗雯 ,  张俊华 ,  谢宗扬

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538

Abstract: 一种中介层衬底制造为具有位于邻近的区域之间的划线区域。在一个实施例中，利用单独的曝光中间掩模以图案化划线区域。曝光中间掩模以图案化划线区域将形成曝光区域，其重叠并悬置该曝光区域用于形成邻近的区域。本发明实施例涉及半导体器件和制造方法。

公开(公告)号：CN103456601B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201210425190.2

申请日：2012-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张俊华 ,  叶德强 ,  郑光伟 ,  刘源鸿 ,  侯上勇 ,  邱文智 ,  郑心圃

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/53295 ,  H01L28/60 ,  H01L29/02 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在中介片中形成通孔，并且在底层金属层和更高层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是具有双电容器介电层的平面电容器。

公开(公告)号：CN103378094A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310136290.8

申请日：2013-04-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张俊华 ,  郑心圃 ,  叶德强 ,  侯上勇 ,  邱文智

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L23/642 ,  H01L23/49822 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在一个实施例中，在通孔和底层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是形成在衬底上或衬底上方形成的介电层上的平面电容器。

公开(公告)号：CN102738119A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210104185.1

申请日：2012-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  张正宏 ,  廖鄂斌 ,  余佳霖 ,  王湘仪 ,  张俊华 ,  黄立贤 ,  郭智维 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体元件包括具有顶面的半导体衬底。开口从顶面延伸至半导体衬底中。该开口包括内表面。具有第一压缩应力的第一介电衬里设置在开口的内表面上。具有拉伸应力的第二介电衬里设置在第一介电衬里上。具有第二压缩应力的第三介电衬里设置在第二介电衬里上。金属阻挡层设置在第三介电衬里上。导电材料设置在金属阻挡层上并填充开口。本发明还提供了一种用于半导体衬底的贯穿硅通孔及其生产方法。

公开(公告)号：CN102237316B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201010250723.9

申请日：2010-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕文雄 ,  郑明达 ,  林志伟 ,  张俊华 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11906 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13455 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种集成电路元件及凸块结构的形成方法，其中该集成电路元件包括：一半导体基底；一凸块下金属层，设置于该半导体基底上；一铜柱，设置于该凸块下金属层上，且具有一侧壁表面与一上表面；以及一保护层，设置于该铜柱的该侧壁表面与该上表面上，其中该保护层为一含镍层，包括含量小于0.01重量百分比的磷。本发明提供铜柱凸块，其具有由电解金属层形成的侧壁保护层，电解金属层为电解镍层、电解金层、电解铜层或电解银层，避免了铜柱侧壁氧化，并且增加在铜柱侧壁与后续形成的底部填充材料之间的粘着力，并且其凸块可以阻止应力集中在一些点上，从而解决从铜柱侧壁上剥离或脱层的问题。

公开(公告)号：CN102738119B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201210104185.1

申请日：2012-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  张正宏 ,  廖鄂斌 ,  余佳霖 ,  王湘仪 ,  张俊华 ,  黄立贤 ,  郭智维 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体元件包括具有顶面的半导体衬底。开口从顶面延伸至半导体衬底中。该开口包括内表面。具有第一压缩应力的第一介电衬里设置在开口的内表面上。具有拉伸应力的第二介电衬里设置在第一介电衬里上。具有第二压缩应力的第三介电衬里设置在第二介电衬里上。金属阻挡层设置在第三介电衬里上。导电材料设置在金属阻挡层上并填充开口。本发明还提供了一种用于半导体衬底的贯穿硅通孔及其生产方法。

公开(公告)号：CN103456601A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210425190.2

申请日：2012-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张俊华 ,  叶德强 ,  郑光伟 ,  刘源鸿 ,  侯上勇 ,  邱文智 ,  郑心圃

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/53295 ,  H01L28/60 ,  H01L29/02 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在中介片中形成通孔，并且在底层金属层和更高层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是具有双电容器介电层的平面电容器。

公开(公告)号：CN102237316A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010250723.9

申请日：2010-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕文雄 ,  郑明达 ,  林志伟 ,  张俊华 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11906 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13455 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种集成电路元件及凸块结构的形成方法，其中该集成电路元件包括：一半导体基底；一凸块下金属层，设置于该半导体基底上；一铜柱，设置于该凸块下金属层上，且具有一侧壁表面与一上表面；以及一保护层，设置于该铜柱的该侧壁表面与该上表面上，其中该保护层为一含镍层，包括含量小于0.01重量百分比的磷。本发明提供铜柱凸块，其具有由电解金属层形成的侧壁保护层，电解金属层为电解镍层、电解金层、电解铜层或电解银层，避免了铜柱侧壁氧化，并且增加在铜柱侧壁与后续形成的底部填充材料之间的粘着力，并且其凸块可以阻止应力集中在一些点上，从而解决从铜柱侧壁上剥离或脱层的问题。

公开(公告)号：CN114566484A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210073397.1

申请日：2022-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶庭聿 ,  张俊华 ,  张丰愿 ,  李志纯

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本申请公开了封装结构中的电源‑接地布置。一种结构包括重新分布结构，其包括底层和在底层之上的多个上层。重新分布结构还包括从多个上层中的最顶层延伸到多个上层中的最底层的电源‑接地宏，以及在底层中并与电源‑接地宏重叠的金属焊盘。金属焊盘与电源‑接地宏电断开。