公开(公告)号：CN109768035B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201811305408.4

申请日：2018-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏文信 ,  胡宪斌 ,  侯上勇 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  庄文荣 ,  陈俊哲 ,  林志明 ,  林志清 ,  黄诗雯 ,  张俊华 ,  谢宗扬

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538

Abstract: 一种中介层衬底制造为具有位于邻近的区域之间的划线区域。在一个实施例中，利用单独的曝光中间掩模以图案化划线区域。曝光中间掩模以图案化划线区域将形成曝光区域，其重叠并悬置该曝光区域用于形成邻近的区域。本发明实施例涉及半导体器件和制造方法。

公开(公告)号：CN103811584B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310034021.0

申请日：2013-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志清 ,  詹永平 ,  童凯瑜 ,  李承道

IPC: H01L31/18 ,  C23C18/00

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种制造薄膜太阳能电池器件的方法包括在衬底上形成背部接触层，在背部接触层上形成GIGS吸收层，用基于金属的碱性溶液处理CIGS吸收层，以及在CIGS吸收层上形成缓冲层，其中，CIGS吸收层的处理改进CIGS吸收层和缓冲层之间的粘附性，而且还改进CIGS吸收层/缓冲层界面处的p-n结的质量。本发明还提供了薄膜太阳能电池中CIGS吸收层的基于金属的溶液处理。

公开(公告)号：CN103681892B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201210553753.6

申请日：2012-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志清 ,  詹永平 ,  徐维骏 ,  王晨昀

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种薄膜太阳能电池及其形成方法。所述太阳能电池包括底电极层，半导体光吸收层，以及TCO顶电极层。在一种实施方式中，TCO种子层形成在所述顶电极和吸收层之间以改进顶电极至吸收层的粘合力。在一种实施方式中，所述种子层以比形成TCO顶电极层的温度低的温度形成并且具有不同微观结构。本发明还公开了太阳能电池。

公开(公告)号：CN109768035A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811305408.4

申请日：2018-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏文信 ,  胡宪斌 ,  侯上勇 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  庄文荣 ,  陈俊哲 ,  林志明 ,  林志清 ,  黄诗雯 ,  张俊华 ,  谢宗扬

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538

Abstract: 一种中介层衬底制造为具有位于邻近的区域之间的划线区域。在一个实施例中，利用单独的曝光中间掩模以图案化划线区域。曝光中间掩模以图案化划线区域将形成曝光区域，其重叠并悬置该曝光区域用于形成邻近的区域。本发明实施例涉及半导体器件和制造方法。