公开(公告)号：CN102738119B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201210104185.1

申请日：2012-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  张正宏 ,  廖鄂斌 ,  余佳霖 ,  王湘仪 ,  张俊华 ,  黄立贤 ,  郭智维 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体元件包括具有顶面的半导体衬底。开口从顶面延伸至半导体衬底中。该开口包括内表面。具有第一压缩应力的第一介电衬里设置在开口的内表面上。具有拉伸应力的第二介电衬里设置在第一介电衬里上。具有第二压缩应力的第三介电衬里设置在第二介电衬里上。金属阻挡层设置在第三介电衬里上。导电材料设置在金属阻挡层上并填充开口。本发明还提供了一种用于半导体衬底的贯穿硅通孔及其生产方法。

公开(公告)号：CN102738119A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210104185.1

申请日：2012-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  张正宏 ,  廖鄂斌 ,  余佳霖 ,  王湘仪 ,  张俊华 ,  黄立贤 ,  郭智维 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体元件包括具有顶面的半导体衬底。开口从顶面延伸至半导体衬底中。该开口包括内表面。具有第一压缩应力的第一介电衬里设置在开口的内表面上。具有拉伸应力的第二介电衬里设置在第一介电衬里上。具有第二压缩应力的第三介电衬里设置在第二介电衬里上。金属阻挡层设置在第三介电衬里上。导电材料设置在金属阻挡层上并填充开口。本发明还提供了一种用于半导体衬底的贯穿硅通孔及其生产方法。