公开(公告)号：CN102024813A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010284460.3

申请日：2010-09-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许俊豪 ,  林正堂 ,  王湘仪 ,  李文钦 ,  谢孟桂

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置、互补式金属氧化物半导体装置及集成电路，该半导体装置包括：一第一金属氧化物半导体结构及一第二金属氧化物半导体结构。第一金属氧化物半导体结构，包括：一第一栅极介电层，位于一基底上；一第一功函数金属层，位于第一栅极介电层上；以及一第一硅化物，位于第一功函数金属层上。第二金属氧化物半导体结构，包括：一第二栅极介电层，位于基底上；一第二功函数金属层，位于第二栅极介电层上；以及一第二硅化物，位于第二功函数金属层上。其中，第一硅化物不同于第二硅化物。本发明可实质上排除Al扩散的问题。

公开(公告)号：CN101714522A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910166071.8

申请日：2009-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘重希 ,  王湘仪 ,  林正堂 ,  余振华

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/265 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 一种制造半导体元件的方法及半导体元件，该方法包括：形成一高介电常数介电层于一半导体基底上；形成一第一金属层于该高介电常数介电层上；形成一第二金属层于该第一金属层上；形成一第一硅层于该第二金属层上；注入离子进入覆盖该基底的一第一区的该第一硅层与第二金属层中；形成一第二硅层于该第一硅层上；图案化于该第一区上的一第一栅极结构与该第二区上的一第二栅极结构；执行一退火工艺，其使该第二硅层与该第一硅层反应以于该第一与第二栅极结构中分别形成一硅化层；以及驱使该离子接近该第一栅极结构中的该第一金属层与该高介电常数介电层的一界面。本发明减低了离子穿透的风险与高介电常数介电材料的损伤，又价钱低廉。

公开(公告)号：CN102738119B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201210104185.1

申请日：2012-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  张正宏 ,  廖鄂斌 ,  余佳霖 ,  王湘仪 ,  张俊华 ,  黄立贤 ,  郭智维 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体元件包括具有顶面的半导体衬底。开口从顶面延伸至半导体衬底中。该开口包括内表面。具有第一压缩应力的第一介电衬里设置在开口的内表面上。具有拉伸应力的第二介电衬里设置在第一介电衬里上。具有第二压缩应力的第三介电衬里设置在第二介电衬里上。金属阻挡层设置在第三介电衬里上。导电材料设置在金属阻挡层上并填充开口。本发明还提供了一种用于半导体衬底的贯穿硅通孔及其生产方法。

公开(公告)号：CN101582379B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200810167657.1

申请日：2008-10-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林正堂 ,  邱永升 ,  王湘仪 ,  余佳霖 ,  余振华

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置、金属氧化物半导体场效应晶体管及其栅极的制造方法。金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极包含栅极金属层形成在高介电常数介电层之上。利用低含氧量沉积工艺在不以带电离子撞击晶片基板的情形下，形成上述金属栅极。利用上述工艺形成的栅极金属层具有低含氧量，并可避免界面氧化层重新成长。上述形成栅极金属层的工艺可避免对晶片基板造成等离子体损伤。

公开(公告)号：CN102024813B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201010284460.3

申请日：2010-09-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许俊豪 ,  林正堂 ,  王湘仪 ,  李文钦 ,  谢孟桂

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置、互补式金属氧化物半导体装置及集成电路，该半导体装置包括：一第一金属氧化物半导体结构及一第二金属氧化物半导体结构。第一金属氧化物半导体结构，包括：一第一栅极介电层，位于一基底上；一第一功函数金属层，位于第一栅极介电层上；以及一第一硅化物，位于第一功函数金属层上。第二金属氧化物半导体结构，包括：一第二栅极介电层，位于基底上；一第二功函数金属层，位于第二栅极介电层上；以及一第二硅化物，位于第二功函数金属层上。其中，第一硅化物不同于第二硅化物。本发明可实质上排除Al扩散的问题。

公开(公告)号：CN101661957A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910166560.3

申请日：2009-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  林正堂 ,  王湘仪 ,  邱永昇 ,  余佳霖

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种用于提供改进的功函数值和热稳定性的半导体器件和用于制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的界面电介质层；位于界面电介质层之上的高k值栅电介质层；以及位于高k值栅电介质层之上的掺杂导电金属氧化物层。

公开(公告)号：CN101661957B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN200910166560.3

申请日：2009-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  林正堂 ,  王湘仪 ,  邱永昇 ,  余佳霖

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种用于提供改进的功函数值和热稳定性的半导体器件和用于制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的界面电介质层；位于界面电介质层之上的高k值栅电介质层；以及位于高k值栅电介质层之上的掺杂导电金属氧化物层。

公开(公告)号：CN102738119A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210104185.1

申请日：2012-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  张正宏 ,  廖鄂斌 ,  余佳霖 ,  王湘仪 ,  张俊华 ,  黄立贤 ,  郭智维 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体元件包括具有顶面的半导体衬底。开口从顶面延伸至半导体衬底中。该开口包括内表面。具有第一压缩应力的第一介电衬里设置在开口的内表面上。具有拉伸应力的第二介电衬里设置在第一介电衬里上。具有第二压缩应力的第三介电衬里设置在第二介电衬里上。金属阻挡层设置在第三介电衬里上。导电材料设置在金属阻挡层上并填充开口。本发明还提供了一种用于半导体衬底的贯穿硅通孔及其生产方法。

公开(公告)号：CN101714522B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200910166071.8

申请日：2009-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘重希 ,  王湘仪 ,  林正堂 ,  余振华

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/265 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 一种制造半导体元件的方法及半导体元件，该方法包括：形成一高介电常数介电层于一半导体基底上；形成一第一金属层于该高介电常数介电层上；形成一第二金属层于该第一金属层上；形成一第一硅层于该第二金属层上；注入离子进入覆盖该基底的一第一区的该第一硅层与第二金属层中；形成一第二硅层于该第一硅层上；图案化于该第一区上的一第一栅极结构与该第二区上的一第二栅极结构；执行一退火工艺，其使该第二硅层与该第一硅层反应以于该第一与第二栅极结构中分别形成一硅化层；以及驱使该离子接近该第一栅极结构中的该第一金属层与该高介电常数介电层的一界面。本发明减低了离子穿透的风险与高介电常数介电材料的损伤，又价钱低廉。

公开(公告)号：CN101399269B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810167725.4

申请日：2008-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  林正堂 ,  张正宏 ,  王湘仪 ,  叶震南

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提出了一种混合金属全硅化(FUSI)栅结构的半导体系统和半导体器件。该半导体系统包括PMOS栅结构，所述PMOS栅结构包括第一高k值电介质层、P型金属层、中间禁带金属层和形成在所述P型金属层上的全硅化物层，其中所述中间禁带金属层形成在所述高k值电介质层和所述P型金属层之间。该半导体系统还包括NMOS栅结构，所述NMOS栅结构包括第二高k值电介质层、所述全硅化物层和所述中间禁带金属层，其中所述中间禁带金属层形成与所述高k值电介质和所述全硅化物层之间。