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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113380602B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202110031638.1
申请日：2021-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 提供一种处理半导体晶圆的方法与晶圆制造系统，用于处理半导体晶圆的方法包括在一晶圆承载台的一顶表面上装载一半导体晶圆。该方法亦包括经由一第一气体入口端口及一第二气体入口端口在该半导体晶圆与该晶圆承载台的该顶表面之间供应一气态材料，该第一气体入口端口及该第二气体入口端口位于该顶表面的一扇状区段下方。该方法进一步包括将一流体介质供应至该晶圆承载台的一流体入口端口且引导来自该流体入口端口的该流体介质以流经位于该顶表面的该扇状区段下方的许多弧状通道。另外，该方法包括在该半导体晶圆上方供应一电浆气体。
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公开(公告)号：CN113394073B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110219663.2
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭示案揭示一种射频屏幕、紫外线灯系统、及筛选射频能量的方法，特别是一微波供电的紫外线(UV)灯系统的一射频(RF)屏幕。在一实例中，一种所揭示的RF屏幕包括：一薄片，其包含一导电材料；及一框架，其围绕此薄片的边缘。此导电材料跨越实质上此屏幕的一操作性区域而界定单独开口的一预定网格图案。此些单独开口中的每一者具有一个三角形形状。
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公开(公告)号：CN113394073A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110219663.2
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭示案揭示一种射频屏幕、紫外线灯系统、及筛选射频能量的方法，特别是一微波供电的紫外线(UV)灯系统的一射频(RF)屏幕。在一实例中，一种所揭示的RF屏幕包括：一薄片，其包含一导电材料；及一框架，其围绕此薄片的边缘。此导电材料跨越实质上此屏幕的一操作性区域而界定单独开口的一预定网格图案。此些单独开口中的每一者具有一个三角形形状。
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公开(公告)号：CN110834820A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910202168.3
申请日：2019-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种湿度控制储存装置包含多个平板，这些平板配置以形成一密闭容积(Enclosed Volume)。这些平板中的第一平板包含进气口与出气口。储存装置还包含净化系统，此净化(Purge)系统具有进气管路、气体供应系统、以及气体抽出系统。进气管路包含喷嘴与耦合于进气口的圆筒部。气体供应系统配置以供应净化气体给进气管路。进气管路配置沿一方向将净化气体输出至密闭容积中，而在密闭容积内形成圆形或椭圆形的气流图案。气体抽出系统耦合于出气口，且配置以将净化气体从密闭容积中抽出。
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公开(公告)号：CN113380602A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110031638.1
申请日：2021-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 提供一种处理半导体晶圆的方法与晶圆制造系统，用于处理半导体晶圆的方法包括在一晶圆承载台的一顶表面上装载一半导体晶圆。该方法亦包括经由一第一气体入口端口及一第二气体入口端口在该半导体晶圆与该晶圆承载台的该顶表面之间供应一气态材料，该第一气体入口端口及该第二气体入口端口位于该顶表面的一扇状区段下方。该方法进一步包括将一流体介质供应至该晶圆承载台的一流体入口端口且引导来自该流体入口端口的该流体介质以流经位于该顶表面的该扇状区段下方的许多弧状通道。另外，该方法包括在该半导体晶圆上方供应一电浆气体。
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