进气装置、气体反应系统与其清洗方法

    公开(公告)号:CN111584336B

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN201910120050.6

    申请日:2019-02-18

    Abstract: 本揭露提供一种进气装置、气体反应系统与其清洗方法。此进气装置包含进气单元、气体分散单元与气体分散板。气体分散单元具有凹陷部,且进气单元容置于此凹陷部中。气体分散板固设于进气单元的底表面,并位于进气单元与气体分散单元之间。进气单元第一个流道、第二流道与多个调节元件。第一流道贯穿进气单元的顶表面与底表面,且第二流道贯穿进气单元的顶表面、底表面与侧面。调节单元设置于第二流道中,并邻近本体的侧面。

    进气装置、气体反应系统与其清洗方法

    公开(公告)号:CN111584336A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN201910120050.6

    申请日:2019-02-18

    Abstract: 本揭露提供一种进气装置、气体反应系统与其清洗方法。此进气装置包含进气单元、气体分散单元与气体分散板。气体分散单元具有凹陷部,且进气单元容置于此凹陷部中。气体分散板固设于进气单元的底表面,并位于进气单元与气体分散单元之间。进气单元第一个流道、第二流道与多个调节元件。第一流道贯穿进气单元的顶表面与底表面,且第二流道贯穿进气单元的顶表面、底表面与侧面。调节单元设置于第二流道中,并邻近本体的侧面。

    制作半导体器件的装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112447558A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202010882878.8

    申请日:2020-08-28

    Abstract: 一种制作半导体器件的装置具有:壳体,界定缓冲腔室;多个反应器端口,形成在壳体中,用于与多个工艺腔室建立接口,所述多个工艺腔室用于在制作半导体器件的制作工艺期间接纳晶片;晶片定位机器人,定位在缓冲腔室中以通过所述多个反应器端口在所述多个工艺腔室之间运送晶片;吹洗端口,形成在壳体中,用于将吹洗气体引入到缓冲腔室中;泵端口,形成在壳体中,用于从缓冲腔室排放吹洗气体的一部分;以及第一流量增强器,将沿吹洗端口的纵向轴线在轴向方向上流动的吹洗气体相对于纵向轴线在多个径向方向上引导到缓冲腔室中。

    用于半导体制程机台的设备接口系统

    公开(公告)号:CN113436984B

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202010205491.9

    申请日:2020-03-23

    Abstract: 一种用于半导体制程机台的设备接口系统,包含容器、装载端口、机器手臂、吹气系统以及气流调整元件。容器具有壳体,其中壳体具有门口。装载端口设置于容器之外且邻近壳体的门口。机器手臂设置于容器中。吹气系统用以于容器中产生气流。气流调整元件设置于容器中且位于门口以及吹气系统之间,其中气流调整元件具有多个开口,以供气流的部分通过,气流调整元件的开口在气流调整元件的表面上的面积占比随着靠近壳体的门口逐渐降低。

    用于半导体制程机台的设备接口系统

    公开(公告)号:CN113436984A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202010205491.9

    申请日:2020-03-23

    Abstract: 一种用于半导体制程机台的设备接口系统,包含容器、装载端口、机器手臂、吹气系统以及气流调整元件。容器具有壳体,其中壳体具有门口。装载端口设置于容器之外且邻近壳体的门口。机器手臂设置于容器中。吹气系统用以于容器中产生气流。气流调整元件设置于容器中且位于门口以及吹气系统之间,其中气流调整元件具有多个开口,以供气流的部分通过,气流调整元件的开口在气流调整元件的表面上的面积占比随着靠近壳体的门口逐渐降低。

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