公开(公告)号：CN110310901A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201810723869.7

申请日：2018-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  林艺民 ,  叶致宏 ,  王子元

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明实施例公开清洁工艺腔室的方法。一种清洁工艺腔室的方法包括以下步骤。在所述工艺腔室的内部表面上交替地形成多个工艺膜及多个非工艺膜。执行清洁操作，以从所述工艺腔室的所述内部表面除去所述多个工艺膜及所述多个非工艺膜。

公开(公告)号：CN109763115A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811258690.5

申请日：2018-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶致宏 ,  李宗霖 ,  林艺民 ,  杨胜钧 ,  曾同庆

IPC: C23C16/44

Abstract: 提供一种化学气相沉积设备，化学气相沉积设备包括化学气相沉积腔室，上述化学气相沉积腔室包括多个壁部分，基座设置于化学气相沉积腔室内，配置以支撑基板，进气口设置于壁部分的其中的一个上，且位于基座的基板支撑部分下方。除此之外，气流引导构件设置于化学气相沉积腔室内，耦接至进气口，并配置以将来自进气口的清洁气体分配至化学气相沉积腔室。

公开(公告)号：CN110310901B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201810723869.7

申请日：2018-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  林艺民 ,  叶致宏 ,  王子元

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明实施例公开清洁工艺腔室的方法。一种清洁工艺腔室的方法包括以下步骤。在所述工艺腔室的内部表面上交替地形成多个工艺膜及多个非工艺膜。执行清洁操作，以从所述工艺腔室的所述内部表面除去所述多个工艺膜及所述多个非工艺膜。