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公开(公告)号：CN101162725A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710180918.9
申请日：2007-10-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/31 , H01L21/312 , H01L21/316 , G03F7/004
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一源极/漏极区域；一预定区域，连接该源极/漏极区域；以及一光致抗蚀剂保护氧化物层，形成于该预定区域上方，其中该光致抗蚀剂保护氧化物层所含氮的原子百分比为0.35或更小。
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公开(公告)号：CN101162725B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200710180918.9
申请日：2007-10-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/31 , H01L21/312 , H01L21/316 , G03F7/004
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一源极/漏极区域；一预定区域，连接该源极/漏极区域；以及一光致抗蚀剂保护氧化物层，形成于该预定区域上方，其中该光致抗蚀剂保护氧化物层所含氮的原子百分比为0.35或更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1992268A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610146394.7
申请日：2006-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种半导体电容装置。该半导体电容装置包括：介电层以及堆叠电容结构。其中介电层设置于基底上；堆叠电容结构设置于介电层内，其包括第一金属－绝缘层－金属电容以及位于其上方且与其并联的第二金属－绝缘层－金属电容，其中第一及第二金属－绝缘层－金属电容具有各自的上电极板及下电极板与不同组成的电容介电层。本发明能够增加电容的电容量密度，同时维持低的电压线性系数。
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公开(公告)号：CN1848417A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610057499.5
申请日：2006-03-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/52 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L2224/02166 , H01L2224/05093 , H01L2224/05556 , H01L2224/05567 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种接合垫结构及其形成方法。所述接合垫结构，其包括一顶部介层窗图案。顶部介层窗图案具有至少一第一介层窗组以及与其相邻的至少一第二介层窗组。第一介层窗组具有朝一第一方向延伸的至少两个线型介层窗，而第二介层窗组具有朝不同于第一方向的一第二方向延伸的至少两个线型介层窗。第一介层窗组的线型介层窗不与第二介层窗组的线型介层窗相交。本发明所述接合垫结构及其形成方法，可避免在线型介层窗相交之处具有不良的覆盖率，进而改善可靠度、接合度以及品质控制。
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公开(公告)号：CN113113432B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202010930430.9
申请日：2020-09-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有全局快门的互补金属氧化物半导体图像传感器和一种用于制造互补金属氧化物半导体图像传感器的方法。在一个实施例中，一种半导体器件包含：光感测区；电荷存储区；光屏蔽结构；以及至少一个通孔触点；其中电荷存储区在空间上配置成在横向方向上邻近于光感测区，其中光屏蔽结构配置成在竖直方向上处于电荷存储区上方以便防止入射光从光感测区泄漏到信号处理区，其中光屏蔽结构配置在层间介电(ILD)层中，且其中光屏蔽结构与至少一个通孔触点同步地形成。
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公开(公告)号：CN113113432A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010930430.9
申请日：2020-09-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种具有全局快门的互补金属氧化物半导体图像传感器和一种用于制造互补金属氧化物半导体图像传感器的方法。在一个实施例中，一种半导体器件包含：光感测区；电荷存储区；光屏蔽结构；以及至少一个通孔触点；其中电荷存储区在空间上配置成在横向方向上邻近于光感测区，其中光屏蔽结构配置成在竖直方向上处于电荷存储区上方以便防止入射光从光感测区泄漏到信号处理区，其中光屏蔽结构配置在层间介电(ILD)层中，且其中光屏蔽结构与至少一个通孔触点同步地形成。
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公开(公告)号：CN100463154C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200610057499.5
申请日：2006-03-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/52 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L2224/02166 , H01L2224/05093 , H01L2224/05556 , H01L2224/05567 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种接合垫结构及其形成方法。所述接合垫结构，其包括一顶部介层窗图案。顶部介层窗图案具有至少一第一介层窗组以及与其相邻的至少一第二介层窗组。第一介层窗组具有朝一第一方向延伸的至少两个线型介层窗，而第二介层窗组具有朝不同于第一方向的一第二方向延伸的至少两个线型介层窗。第一介层窗组的线型介层窗不与第二介层窗组的线型介层窗相交。本发明所述接合垫结构及其形成方法，可避免在线型介层窗相交之处具有不良的覆盖率，进而改善可靠度、接合度以及品质控制。
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