公开(公告)号：CN101162725B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200710180918.9

申请日：2007-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁耀祥 ,  郑文功 ,  范振朋 ,  陈明贤 ,  陈盈彰 ,  杨荣成 ,  何文郁 ,  李肇耿

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  G03F7/004

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一源极/漏极区域；一预定区域，连接该源极/漏极区域；以及一光致抗蚀剂保护氧化物层，形成于该预定区域上方，其中该光致抗蚀剂保护氧化物层所含氮的原子百分比为0.35或更小。

公开(公告)号：CN101162725A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710180918.9

申请日：2007-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁耀祥 ,  郑文功 ,  范振朋 ,  陈明贤 ,  陈盈彰 ,  杨荣成 ,  何文郁 ,  李肇耿

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  G03F7/004

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一源极/漏极区域；一预定区域，连接该源极/漏极区域；以及一光致抗蚀剂保护氧化物层，形成于该预定区域上方，其中该光致抗蚀剂保护氧化物层所含氮的原子百分比为0.35或更小。