公开(公告)号：CN101162725A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710180918.9

申请日：2007-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁耀祥 ,  郑文功 ,  范振朋 ,  陈明贤 ,  陈盈彰 ,  杨荣成 ,  何文郁 ,  李肇耿

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  G03F7/004

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一源极/漏极区域；一预定区域，连接该源极/漏极区域；以及一光致抗蚀剂保护氧化物层，形成于该预定区域上方，其中该光致抗蚀剂保护氧化物层所含氮的原子百分比为0.35或更小。

公开(公告)号：CN101162725B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200710180918.9

申请日：2007-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁耀祥 ,  郑文功 ,  范振朋 ,  陈明贤 ,  陈盈彰 ,  杨荣成 ,  何文郁 ,  李肇耿

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/31 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  G03F7/004

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一源极/漏极区域；一预定区域，连接该源极/漏极区域；以及一光致抗蚀剂保护氧化物层，形成于该预定区域上方，其中该光致抗蚀剂保护氧化物层所含氮的原子百分比为0.35或更小。

公开(公告)号：CN1125481C

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN98115641.X

申请日：1998-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何文郁 ,  李森楠 ,  谢松均 ,  陈慧伦

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/30 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/76843

Abstract: 一种半导体元件减少钨损失阻挡层的制造方法，所述制造方法至少包括：提供具有一介电层的一元件，至少包括一大长径比接触窗开口；以化学气相沉积法沉积一氮化钛共形膜；以物理气相沉积法沉积一氮化钛膜；以及以化学气相沉积法沉积一金属钨，至少填入所述大长径比接触窗开口。