公开(公告)号：CN1755928A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510102901.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖忠志 ,  谢松均 ,  崔壬汾 ,  林子贵 ,  吴启明

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/11 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及半导体元件的连接结构，所述半导体元件的连接结构包括一花生状的开口。花生状的开口包括窄区域和宽区域，其中窄区域是位于两宽区域之间或位于多个宽区域的其中两者之间。一导电插塞至少部分填入花生状开口。本发明所述半导体元件及半导体元件的连接结构，可改进现有技术接触开口制程微缩所产生的问题。

公开(公告)号：CN1125481C

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN98115641.X

申请日：1998-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何文郁 ,  李森楠 ,  谢松均 ,  陈慧伦

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/30 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/76843

Abstract: 一种半导体元件减少钨损失阻挡层的制造方法，所述制造方法至少包括：提供具有一介电层的一元件，至少包括一大长径比接触窗开口；以化学气相沉积法沉积一氮化钛共形膜；以物理气相沉积法沉积一氮化钛膜；以及以化学气相沉积法沉积一金属钨，至少填入所述大长径比接触窗开口。

公开(公告)号：CN100394594C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200510102901.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖忠志 ,  谢松均 ,  崔壬汾 ,  林子贵 ,  吴启明

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/11 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及半导体元件的连接结构，所述半导体元件的连接结构包括一花生状的开口。花生状的开口包括窄区域和宽区域，其中窄区域是位于两宽区域之间或位于多个宽区域的其中两者之间。一导电插塞至少部分填入花生状开口。本发明所述半导体元件及半导体元件的连接结构，可改进现有技术接触开口制程微缩所产生的问题。