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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1125481C
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN98115641.X
申请日：1998-07-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/283 , H01L21/30 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76844 , H01L21/76843
Abstract: 一种半导体元件减少钨损失阻挡层的制造方法，所述制造方法至少包括：提供具有一介电层的一元件，至少包括一大长径比接触窗开口；以化学气相沉积法沉积一氮化钛共形膜；以物理气相沉积法沉积一氮化钛膜；以及以化学气相沉积法沉积一金属钨，至少填入所述大长径比接触窗开口。
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公开(公告)号：CN1641859A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200410073924.0
申请日：2004-09-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0629
Abstract: 本发明是关于一种采用掩膜层的混合模式制程，包括下列步骤：提供一半导体结构；依序形成一第一导电层、一介电层以及一第二导电层于该半导体结构上；于一部分的该第二导电层及该介电层内形成一第一堆栈结构并露出未为该第一堆栈结构所覆盖的第一导电层；顺应地沉积一掩膜层于该第一导电层上并覆盖其上的该第一堆栈结构；以及图案化该掩膜层及该第一导电层以于该半导体结构上同时形成一电容器以及一第二堆栈结构。
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公开(公告)号：CN1437046A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN02103597.0
申请日：2002-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335
Abstract: 一种具有阻隔构件的反射式液晶光闸。为提供一种减少漏光、降低介电层的厚度、增加光线进入介电层后的反射次数、提高投影显示系统品质、提高效率、降低成本的观看用装置部件，提出本发明，它包括基底、设置于基底上的第一反射层、设置于第一反射层上的用以吸收光源的吸收层、介电层、复数第二反射层、栓塞及阻隔构件；第一反射层具有形成复数连接部的复数作为光源进入基底路径的环状第一开口；介电层设置于吸收层上及环状第一开口内，以形成光源通路；其上具有对应于复数环状第一开口以分别设置栓塞及阻隔构件的复数第二开口及复数环状凹槽；复数第二反射层上设有画素间隙；复数第二反射层设置于介电层及复数栓塞及阻隔构件上。
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公开(公告)号：CN1314105C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200410073924.0
申请日：2004-09-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0629
Abstract: 本发明是关于一种采用掩模层的混合模式制程，包括下列步骤：提供一半导体结构；依序形成一第一导电层、一介电层以及一第二导电层于该半导体结构上；于一部分的该第二导电层及该介电层内形成一第一堆栈结构并露出未为该第一堆栈结构所覆盖的第一导电层；顺应地沉积一掩模层于该第一导电层上并覆盖其上的该第一堆栈结构；以及图案化该掩模层及该第一导电层以于该半导体结构上同时形成一电容器以及一第二堆栈结构。
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公开(公告)号：CN1190687C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN02103597.0
申请日：2002-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335
Abstract: 一种具有阻隔构件的反射式液晶光闸。为提供一种减少漏光、降低介电层的厚度、增加光线进入介电层后的反射次数、提高投影显示系统品质、提高效率、降低成本的观看用装置部件，提出本发明，它包括基底、设置于基底上的第一反射层、设置于第一反射层上的用以吸收光源的吸收层、介电层、复数第二反射层、栓塞及阻隔构件；第一反射层具有形成复数连接部的作为光源进入基底路径的复数环状第一开口；介电层设置于吸收层上及环状第一开口内，以形成光源通路；其上具有对应于复数环状第一开口以分别设置栓塞及阻隔构件的复数第二开口及复数环状凹槽；复数第二反射层上设有画素间隙；复数第二反射层设置于介电层及复数栓塞及阻隔构件上。
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