-
公开(公告)号：CN110660676A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910537982.0
申请日：2019-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 提供一种半导体晶粒的制造方法。形成下钝化层于半导体基板之上的介电层上。然后，形成第一开口于下钝化层内以露出介电层的一部分。接着，形成金属垫于第一开口内。之后，形成第一氧化物系钝化层于金属垫之上。然后，形成第二氧化物系钝化层于第一氧化物系钝化层之上。第二氧化物系钝化层具有硬度小于第一氧化物系钝化层的硬度。
Search Results
1
records
(took 0.022 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
