公开(公告)号：CN110783258A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910589961.3

申请日：2019-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 龚俊豪 ,  张智桀 ,  廖高锋 ,  黄惠琪 ,  陈科维

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供半导体装置结构的形成方法。方法包含在基底上形成第一金属层，在第一金属层上形成介电层。方法包含在介电层内形成沟槽，以及实施表面处理工艺以在沟槽的侧壁表面上形成疏水层。疏水层是形成在介电层的侧壁表面上。方法还包含在沟槽内和疏水层上沉积金属材料以形成导孔结构。

公开(公告)号：CN109822400B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201811273778.4

申请日：2018-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈东楷 ,  蔡晴翔 ,  廖高锋 ,  张智桀 ,  龚俊豪 ,  池芳仪 ,  何信颖 ,  许加融 ,  黄惠琪 ,  陈科维

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/00

Abstract: 本发明实施例涉及一种平坦化方法及一种化学机械研磨CMP方法。所述平坦化方法包含：提供衬底，所述衬底包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域；及对所述第一区域执行表面处理以使其疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度。所述CMP方法包含：提供包含第一区域及第二区域的衬底；在所述衬底上提供研磨浆，其中所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第一接触角，且所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第二接触角；使所述第一区域的表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度。

公开(公告)号：CN110842759B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201910203695.6

申请日：2019-03-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 龚俊豪 ,  陈东楷 ,  张智桀 ,  廖高锋 ,  黄惠琪 ,  陈科维

IPC: B24B37/04 ,  B24B57/02

Abstract: 此处说明化学机械研磨的研磨液的形成方法，以及在含有金属结构的基板上进行化学机械研磨工艺的方法。化学机械研磨的研磨液的形成方法，可采用螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，此比例取决于基板的金属材料电位。可依据化学机械研磨的研磨液的螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，在基板上进行化学机械研磨工艺。

公开(公告)号：CN109822400A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201811273778.4

申请日：2018-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈东楷 ,  蔡晴翔 ,  廖高锋 ,  张智桀 ,  龚俊豪 ,  池芳仪 ,  何信颖 ,  许加融 ,  黄惠琪 ,  陈科维

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/00

Abstract: 本发明实施例涉及一种平坦化方法及一种化学机械研磨CMP方法。所述平坦化方法包含：提供衬底，所述衬底包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域；及对所述第一区域执行表面处理以使其疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度。所述CMP方法包含：提供包含第一区域及第二区域的衬底；在所述衬底上提供研磨浆，其中所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第一接触角，且所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第二接触角；使所述第一区域的表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度。

公开(公告)号：CN111113270A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911054011.7

申请日：2019-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张智桀 ,  陈彦廷 ,  黄惠琪 ,  陈科维

IPC: B24B53/017 ,  B24B37/32

Abstract: 本文提供用于清洁研磨垫的方法。本文提供减少修整盘及研磨垫上的金属颗粒污染的化学机械平坦化系统及方法。所述方法可包括将修整盘及至少一导电元件接触电解液接触，并施加直流功率到修整盘及所述至少一导电元件。

公开(公告)号：CN110842759A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910203695.6

申请日：2019-03-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 龚俊豪 ,  陈东楷 ,  张智桀 ,  廖高锋 ,  黄惠琪 ,  陈科维

IPC: B24B37/04 ,  B24B57/02

Abstract: 此处说明化学机械研磨的研磨液的形成方法，以及在含有金属结构的基板上进行化学机械研磨工艺的方法。化学机械研磨的研磨液的形成方法，可采用螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，此比例取决于基板的金属材料电位。可依据化学机械研磨的研磨液的螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，在基板上进行化学机械研磨工艺。

公开(公告)号：CN110776830A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910702328.0

申请日：2019-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 池芳仪 ,  张智桀 ,  黄惠琪 ,  陈科维

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 化学机械研磨工艺所用的研磨组合物含有多个研磨粒子、至少一化学添加剂、与非水溶剂。