公开(公告)号：CN106847813A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201610809101.2

申请日：2016-09-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗鸿 ,  许加融 ,  蔡腾群 ,  徐梓翔 ,  杨丰诚 ,  陈盈和

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/785

Abstract: 半导体器件包括用于鳍式场效应晶体管(FET)的鳍结构。该鳍结构包括突出于衬底的基层、设置在基层上方的中间层和设置在中间层上方的上层。该鳍结构还包括第一保护层和由与第一保护层的不同的材料制成的第二保护层。该中间层包括设置在基层上方的第一半导体层、覆盖第一半导体层的至少侧壁的第一保护层和覆盖第一保护层的至少侧壁的第二保护层。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。