-
公开(公告)号：CN104051511A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310298850.X
申请日：2013-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L21/823418 , H01L21/823814 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括提供工件，其包括n型场效应晶体管（N-FET）区、p型FET（P-FET）区以及设置在N-FET区和P-FET之上的绝缘材料。该方法包括对绝缘材料进行图案化以露出部分N-FET区和部分P-FET区，以及在N-FET区的露出部分和P-FET区的露出部分之上形成氧化物层。P-FET区上方的氧化物层被改变，并且金属层形成在部分N-FET区和P-FET区上方。工件被退火以在N-FET区上方形成金属-绝缘层-半导体（MIS）隧穿二极管以及在P-FET区上方形成硅化物或锗化物材料。
-
公开(公告)号：CN112476228B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202010848750.X
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B53/013
Abstract: 本公开的一些实施例提供一种操作化学机械平坦化用具的方法。方法包括使用一粘着剂，将一研磨垫附接至一化学机械平坦化用具的一平台的一第一表面，从平台移除研磨垫，其中在移除研磨垫之后，粘着剂的多个残余部分残留在平台的第一表面上，使用一荧光材料来识别平台的第一表面上的粘着剂的残余部分的多个位置，并且从平台的第一表面移除粘着剂的残余部分。
-
公开(公告)号：CN103909474B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201310084294.6
申请日：2013-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B53/017
CPC classification number: B24B55/00 , B08B3/02 , B24B53/017
Abstract: 本发明提供了一种CMP站清洁系统和方法。一个实施例包括化学机械抛光CMP站，该CMP站包括用于覆盖CMP站不同部件的壳体单元。CMP站进一步包括浆料臂防护罩、浆料喷嘴、衬垫调节臂防护罩、压板防护罩、和载体头的不同表面；以及壳体单元的内部和垂直表面。将清洁液传送系统配置成作为定期向CMP站的不同表面配给清洁液。
-
公开(公告)号：CN107017203B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201610993734.3
申请日：2016-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本揭露是关于制造半导体的方法。方法包含提供一前置物，具有基板以及位于基板上的多个凸出部，凸出部之间安插有多个沟槽。在凸出部上沉积第一介电层并填补沟槽，第一介电层具有第一硬度。使用氧化剂处理第一介电层。对第一介电层执行化学机械研磨制程。
-
公开(公告)号：CN103943487A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201310150945.7
申请日：2013-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L29/66795 , H01L21/30625 , H01L29/785
Abstract: 公开了半导体区的生长中的化学机械抛光。一种方法包括执行第一平坦化步骤以去除半导体区位于隔离区上方的部分。第一平坦化步骤具有第一选择性，第一选择性是半导体区的第一去除速率与隔离区的第二去除速率的比值。在暴露隔离区之后，对隔离区和半导体区位于隔离区之间的一部分执行第二平坦化步骤。第二平坦化步骤具有低于第一选择性的第二选择性，第二选择性是半导体区的该部分的第三去除速率与隔离区的第四去除速率的比值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103915345A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310100068.2
申请日：2013-03-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/42356 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/24 , H01L29/42392 , H01L29/4966 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7855
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造半导体器件的方法包括部分地制造鳍式场效应晶体管(FinFET)，该FinFET包括具有第一半导电材料和设置在第一半导电材料上方的第二半导电材料的半导体鳍。去除半导体鳍的第二半导电材料的顶部，并且暴露第一半导电材料的顶部。从第二半导电材料的下方去除第一半导电材料的顶部。氧化第一半导电材料和第二半导电材料，在第一半导电材料上形成具有第一厚度的第一氧化物和在第二半导电材料上形成具有第二厚度的第二氧化物，第一厚度大于第二厚度。从第二半导电材料去除第二氧化物，以及完成FinFET的制造。
-
公开(公告)号：CN118800728A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202311474874.6
申请日：2023-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本揭露提供半导体装置及其制造方法。一种例示性方法包括：形成由一隔离材料分离的多个鳍片结构；在所述多个鳍片结构及隔离材料上方沉积一高k材料，其中该高k材料包括位于多个鳍片结构之间的多个下部部分及位于所述多个鳍片结构上方的一上部部分；在该高k材料上方沉积一地形改良顶盖层；执行一化学机械平坦化(CMP)工艺以移除该顶盖层及该高k材料的该上部部分且界定多个高k绝缘区段。
-
公开(公告)号：CN112476228A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010848750.X
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B53/013
Abstract: 本公开的一些实施例提供一种操作化学机械平坦化用具的方法。方法包括使用一粘着剂，将一研磨垫附接至一化学机械平坦化用具的一平台的一第一表面，从平台移除研磨垫，其中在移除研磨垫之后，粘着剂的多个残余部分残留在平台的第一表面上，使用一荧光材料来识别平台的第一表面上的粘着剂的残余部分的多个位置，并且从平台的第一表面移除粘着剂的残余部分。
-
公开(公告)号：CN104051511B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310298850.X
申请日：2013-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括提供工件，其包括n型场效应晶体管（N-FET）区、p型FET（P-FET）区以及设置在N-FET区和P-FET之上的绝缘材料。该方法包括对绝缘材料进行图案化以露出部分N-FET区和部分P-FET区，以及在N-FET区的露出部分和P-FET区的露出部分之上形成氧化物层。P-FET区上方的氧化物层被改变，并且金属层形成在部分N-FET区和P-FET区上方。工件被退火以在N-FET区上方形成金属-绝缘层-半导体（MIS）隧穿二极管以及在P-FET区上方形成硅化物或锗化物材料。
-
公开(公告)号：CN107017203A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610993734.3
申请日：2016-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本揭露是关于制造半导体的方法。方法包含提供一前置物，具有基板以及位于基板上的多个凸出部，凸出部之间安插有多个沟槽。在凸出部上沉积第一介电层并填补沟槽，第一介电层具有第一硬度。使用氧化剂处理第一介电层。对第一介电层执行化学机械研磨制程。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.025 seconds)
