公开(公告)号：CN118800728A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311474874.6

申请日：2023-11-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄罡 ,  卓登明 ,  潘婉君 ,  孙旭昌

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088

摘要： 本揭露提供半导体装置及其制造方法。一种例示性方法包括：形成由一隔离材料分离的多个鳍片结构；在所述多个鳍片结构及隔离材料上方沉积一高k材料，其中该高k材料包括位于多个鳍片结构之间的多个下部部分及位于所述多个鳍片结构上方的一上部部分；在该高k材料上方沉积一地形改良顶盖层；执行一化学机械平坦化(CMP)工艺以移除该顶盖层及该高k材料的该上部部分且界定多个高k绝缘区段。

公开(公告)号：CN111952163A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010419282.4

申请日：2020-05-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 粘博钦 ,  黄罡 ,  洪伟伦

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

摘要： 一种化学机械平坦化的方法，包括在基板上方形成膜层，增加膜层的表面粗糙度，以及在增加表面粗糙度之后，使用第一化学机械平坦化制程将膜层平坦化。