公开(公告)号：CN103915345B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310100068.2

申请日：2013-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈继元 ,  蔡腾群 ,  林国楹 ,  潘婉君 ,  张翔笔 ,  朱熙甯 ,  陈彦友 ,  栾洪发 ,  江国诚

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/42356 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造半导体器件的方法包括部分地制造鳍式场效应晶体管(FinFET)，该FinFET包括具有第一半导电材料和设置在第一半导电材料上方的第二半导电材料的半导体鳍。去除半导体鳍的第二半导电材料的顶部，并且暴露第一半导电材料的顶部。从第二半导电材料的下方去除第一半导电材料的顶部。氧化第一半导电材料和第二半导电材料，在第一半导电材料上形成具有第一厚度的第一氧化物和在第二半导电材料上形成具有第二厚度的第二氧化物，第一厚度大于第二厚度。从第二半导电材料去除第二氧化物，以及完成FinFET的制造。

公开(公告)号：CN103915345A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310100068.2

申请日：2013-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈继元 ,  蔡腾群 ,  林国楹 ,  潘婉君 ,  张翔笔 ,  朱熙甯 ,  陈彦友 ,  栾洪发 ,  江国诚

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/42356 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造半导体器件的方法包括部分地制造鳍式场效应晶体管(FinFET)，该FinFET包括具有第一半导电材料和设置在第一半导电材料上方的第二半导电材料的半导体鳍。去除半导体鳍的第二半导电材料的顶部，并且暴露第一半导电材料的顶部。从第二半导电材料的下方去除第一半导电材料的顶部。氧化第一半导电材料和第二半导电材料，在第一半导电材料上形成具有第一厚度的第一氧化物和在第二半导电材料上形成具有第二厚度的第二氧化物，第一厚度大于第二厚度。从第二半导电材料去除第二氧化物，以及完成FinFET的制造。

公开(公告)号：CN103579176B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210424958.4

申请日：2012-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万幸仁 ,  叶凌彦 ,  施启元 ,  陈彦友

IPC: H01L23/522 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件。一种用于半导体器件的接触结构的示例性结构包括：衬底，该衬底包括主表面和主表面之下的腔；腔中的应变材料，其中应变材料的晶格常数不同于衬底的晶格常数；位于应变材料上方的含Ge介电层；以及位于含Ge介电层上方的金属层。

公开(公告)号：CN104576733A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310719773.0

申请日：2013-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦友 ,  施啟元 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管（FinFET）及其形成方法。FinFET具有鳍部，鳍部具有在衬底上外延生长的一个或多个半导体层。在鳍部上方形成第一钝化层，并且在鳍部之间形成隔离区。对鳍部的上部进行重塑，并且在重塑后的部分上方形成第二钝化层。此后，可以在鳍部上方形成栅结构，并且可以形成源极/漏极区。

公开(公告)号：CN103579176A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210424958.4

申请日：2012-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万幸仁 ,  叶凌彦 ,  施启元 ,  陈彦友

IPC: H01L23/522 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件。一种用于半导体器件的接触结构的示例性结构包括：衬底，该衬底包括主表面和主表面之下的腔；腔中的应变材料，其中应变材料的晶格常数不同于衬底的晶格常数；位于应变材料上方的含Ge介电层；以及位于含Ge介电层上方的金属层。

公开(公告)号：CN104576733B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201310719773.0

申请日：2013-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦友 ,  施啟元 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管（FinFET）及其形成方法。FinFET具有鳍部，鳍部具有在衬底上外延生长的一个或多个半导体层。在鳍部上方形成第一钝化层，并且在鳍部之间形成隔离区。对鳍部的上部进行重塑，并且在重塑后的部分上方形成第二钝化层。此后，可以在鳍部上方形成栅结构，并且可以形成源极/漏极区。

公开(公告)号：CN104733529B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410387026.6

申请日：2014-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦友 ,  陈弘耀 ,  施启元 ,  叶凌彦 ,  万幸仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的鳍结构。本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。示例性FinFET包括具有主要表面的衬底和从主要表面突出的鳍结构。鳍结构包括：上部，上部包括具有第一晶格常数的第一半导体材料，其中，上部包括具有第一宽度的第一基本垂直部分和位于第一基本垂直部分上方的具有小于第一宽度的第二宽度的第二基本垂直部分；以及下部，下部包括具有小于第一晶格常数的第二晶格常数的第二半导体材料，其中，下部的顶面具有小于第一宽度的第三宽度；FinFET还包括覆盖第二基本垂直部分的栅极结构。

公开(公告)号：CN104733529A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410387026.6

申请日：2014-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦友 ,  陈弘耀 ,  施启元 ,  叶凌彦 ,  万幸仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的鳍结构。本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。示例性FinFET包括具有主要表面的衬底和从主要表面突出的鳍结构。鳍结构包括：上部，上部包括具有第一晶格常数的第一半导体材料，其中，上部包括具有第一宽度的第一基本垂直部分和位于第一基本垂直部分上方的具有小于第一宽度的第二宽度的第二基本垂直部分；以及下部，下部包括具有小于第一晶格常数的第二晶格常数的第二半导体材料，其中，下部的顶面具有小于第一宽度的第三宽度；FinFET还包括覆盖第二基本垂直部分的栅极结构。