公开(公告)号：CN113299742A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110221093.0

申请日：2021-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱雅文 ,  詹易哲 ,  谭伦光 ,  潘正扬 ,  赵晟博 ,  梁品筑 ,  陈弘耀 ,  余德伟 ,  李益诚

IPC: H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在一种制造半导体器件的方法中：形成具有从设置在半导体衬底上方的隔离绝缘层凸出的沟道区的鳍部结构；实施清洁操作；以及形成位于沟道区上方的外延半导体层。清洁操作和形成外延半导体层在同一腔室中实施，而不破坏真空。本申请的实施例提供了制造半导体器件的方法和半导体器件。

公开(公告)号：CN110600368A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910501892.6

申请日：2019-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李溢芸 ,  赵晟博 ,  于雄飞 ,  张哲豪 ,  黄才育 ,  张惠政 ,  陈弘耀

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明所述的实施例涉及半导体工艺所用的方法，具体涉及形成装置的栅极结构，比如置换栅极工艺与其形成的装置。在一些例子中，沉积界面介电层与栅极介电层之后，可在控制下的含氮环境中进行快速退火工艺如激光退火或闪光灯退火工艺，以形成氮化部分于栅极介电层中。氮化部分可钝化栅极介电层表面的缺陷，并可作为阻障以避免蚀刻化学剂与来自后续栅极堆叠层的缺陷/掺质影响或扩散穿过栅极介电层。具体而言，毫秒等级的快速热退火工艺可限制氮原子在栅极介电层中，而不会扩散至下方的界面介电层及/或任何相邻的结构如鳍状物。

公开(公告)号：CN104733529B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410387026.6

申请日：2014-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦友 ,  陈弘耀 ,  施启元 ,  叶凌彦 ,  万幸仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的鳍结构。本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。示例性FinFET包括具有主要表面的衬底和从主要表面突出的鳍结构。鳍结构包括：上部，上部包括具有第一晶格常数的第一半导体材料，其中，上部包括具有第一宽度的第一基本垂直部分和位于第一基本垂直部分上方的具有小于第一宽度的第二宽度的第二基本垂直部分；以及下部，下部包括具有小于第一晶格常数的第二晶格常数的第二半导体材料，其中，下部的顶面具有小于第一宽度的第三宽度；FinFET还包括覆盖第二基本垂直部分的栅极结构。

公开(公告)号：CN104733529A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410387026.6

申请日：2014-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦友 ,  陈弘耀 ,  施启元 ,  叶凌彦 ,  万幸仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的鳍结构。本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。示例性FinFET包括具有主要表面的衬底和从主要表面突出的鳍结构。鳍结构包括：上部，上部包括具有第一晶格常数的第一半导体材料，其中，上部包括具有第一宽度的第一基本垂直部分和位于第一基本垂直部分上方的具有小于第一宽度的第二宽度的第二基本垂直部分；以及下部，下部包括具有小于第一晶格常数的第二晶格常数的第二半导体材料，其中，下部的顶面具有小于第一宽度的第三宽度；FinFET还包括覆盖第二基本垂直部分的栅极结构。

公开(公告)号：CN113299742B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202110221093.0

申请日：2021-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱雅文 ,  詹易哲 ,  谭伦光 ,  潘正扬 ,  赵晟博 ,  梁品筑 ,  陈弘耀 ,  余德伟 ,  李益诚

IPC: H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在一种制造半导体器件的方法中：形成具有从设置在半导体衬底上方的隔离绝缘层凸出的沟道区的鳍部结构；实施清洁操作；以及形成位于沟道区上方的外延半导体层。清洁操作和形成外延半导体层在同一腔室中实施，而不破坏真空。本申请的实施例提供了制造半导体器件的方法和半导体器件。

公开(公告)号：CN115527945A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210690763.8

申请日：2022-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈弘耀 ,  梁品筑 ,  宋学昌 ,  郑培仁 ,  杨育佳

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置及制造半导体装置的方法，在一实施例中，一种方法包括：在基板上方的绝缘材料内形成第一鳍片及第二鳍片，第一鳍片及第二鳍片包括不同材料，绝缘材料插入第一鳍片与第二鳍片之间，第一鳍片具有第一宽度且第二鳍片具有第二宽度；在第一鳍片上方形成第一覆盖层；以及在第二鳍片上方形成第二覆盖层，第一覆盖层具有第一厚度，第二覆盖层具有与第一厚度不同的第二厚度。

公开(公告)号：CN115527944A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210660464.X

申请日：2022-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁品筑 ,  陈弘耀 ,  郑培仁

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/06

Abstract: 一种制造半导体元件的方法包括：在第一半导体鳍及第二半导体鳍的侧壁上方并沿着侧壁沉积第一介电层，在第一介电层上方沉积第二介电层，使第一介电层凹陷以在第一半导体鳍与第二半导体鳍之间界定虚设鳍，在第一半导体鳍及第二半导体鳍的顶表面及侧壁上方形成盖层，其中形成盖层包括在高于第一温度的处理温度下在炉中沉积盖层，及降低炉的温度，其中在降低低炉的温度期间，将炉中的压力升高到并保持在10托或更高，直至炉的温度下降至低于第一温度。