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公开(公告)号：CN113299742A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110221093.0
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/161 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 在一种制造半导体器件的方法中：形成具有从设置在半导体衬底上方的隔离绝缘层凸出的沟道区的鳍部结构；实施清洁操作；以及形成位于沟道区上方的外延半导体层。清洁操作和形成外延半导体层在同一腔室中实施，而不破坏真空。本申请的实施例提供了制造半导体器件的方法和半导体器件。
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公开(公告)号：CN110660672B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201910575177.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了一种半导体结构的形成方法，以及在形成半导体装置时进行高压退火工艺的方法与其装置。高压退火工艺可为高压干式高压退火工艺，其中退火的加压环境包括一或多种工艺气体。高压退火工艺可为湿式退火工艺，其中退火的加压环境包括蒸汽。
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公开(公告)号：CN119421486A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411064121.2
申请日：2024-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的多个实施例提供一种半导体装置结构。一实施例中，半导体装置结构包括垂直堆叠的多个半导体层、多个内部间隔物，每个内部间隔物设置在两个相邻的半导体层之间。此半导体装置结构还包括与每个内部间隔物接触的一源极/漏极部件、包围多个半导体层中的每个半导体层的一部分的一栅极电极层、以及设置在源极/漏极部件和多个半导体层中的每个之间的一覆盖层。
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公开(公告)号：CN113299742B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110221093.0
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/161 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 在一种制造半导体器件的方法中：形成具有从设置在半导体衬底上方的隔离绝缘层凸出的沟道区的鳍部结构；实施清洁操作；以及形成位于沟道区上方的外延半导体层。清洁操作和形成外延半导体层在同一腔室中实施，而不破坏真空。本申请的实施例提供了制造半导体器件的方法和半导体器件。
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公开(公告)号：CN113471073B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202110178492.3
申请日：2021-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/48
Abstract: 本发明的实施例公开了一种集成电路图案化的方法包括：形成抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案具有沿着第一方向纵向定向并且由抗蚀剂壁沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向两者分离的沟槽。该方法还包括：将抗蚀剂图案装载到离子注入机中，从而使抗蚀剂图案的顶面面向离子传播方向；以及将抗蚀剂图案倾斜，从而使离子传播方向相对于垂直于抗蚀剂图案的顶面的轴线形成倾斜角。该方法还包括：将抗蚀剂图案围绕轴线旋转到第一位置；在抗蚀剂图案处于第一位置的情况下将离子注入到抗蚀剂壁中；将抗蚀剂图案围绕轴线旋转180度到第二位置；以及在抗蚀剂图案处于第二位置的情况下将离子注入到抗蚀剂壁中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119132958A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411048829.9
申请日：2024-08-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本公开的实施例提供了一种在半导体鳍片上选择性地形成晶种层的方法。一些实施例提供了一种方法，其在上升的温度下利用单硅烷形成选择性的晶种层的方法。一些实施例亦提供了一种方法，其在由下而上的间隙层之上沉积异质晶体硅盖层，从而改善间隙的填充以及调整鳍片结构的轮廓。
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公开(公告)号：CN113363210A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110573593.0
申请日：2021-05-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成源极/漏极结构，在源极/漏极结构上方形成包括一个或多个介电层的第一层间介电(ILD)层，在第一ILD层中形成第一开口以至少部分地暴露源极/漏极结构，在第一开口的内壁上形成牺牲层，在牺牲层上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成导电层，以形成与源极/漏极结构接触的源极/漏极接触件，去除牺牲层以在第一绝缘层和第一ILD层之间形成空间，以及在源极/漏极接触件和第一ILD层上方形成第二绝缘层以覆盖空间的上部开口，从而形成气隙。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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公开(公告)号：CN108231897A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711296845.X
申请日：2017-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/823821 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L21/823842 , H01L27/0924 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7855 , H01L29/0684 , H01L29/66742
Abstract: 半导体装置的形成方法包括形成第一晶体管，其包括形成第一栅极介电层于基板中的第一通道区上，以及形成第一功函数层于第一栅极介电层上，其中形成第一功函数层的步骤包括采用第一制程条件沉积功函数材料，以形成具有不同结晶方向的第一比例的功函数材料。方法亦形成第二晶体管，其包括形成第二栅极介电层于基板中的第二通道区上，以及形成第二功函数层于第二栅极介电层上，其中形成第二功函数层的步骤包括采用第二制程条件沉积功函数材料，以形成具有不同结晶方向的第二比例的功函数材料。
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公开(公告)号：CN108231897B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201711296845.X
申请日：2017-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 半导体装置的形成方法包括形成第一晶体管，其包括形成第一栅极介电层于基板中的第一通道区上，以及形成第一功函数层于第一栅极介电层上，其中形成第一功函数层的步骤包括采用第一工艺条件沉积功函数材料，以形成具有不同结晶方向的第一比例的功函数材料。方法亦形成第二晶体管，其包括形成第二栅极介电层于基板中的第二通道区上，以及形成第二功函数层于第二栅极介电层上，其中形成第二功函数层的步骤包括采用第二工艺条件沉积功函数材料，以形成具有不同结晶方向的第二比例的功函数材料。
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