公开(公告)号：CN116428306A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310227794.4

申请日：2023-03-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何宜臻 ,  廖志评 ,  林建廷 ,  杨杰颖 ,  王伟民 ,  廖克勋 ,  林季勋

IPC: F16F15/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种半导体制造方法及设备，半导体制造方法包括：测量半导体制造设备中的振动等级；决定半导体制造设备中以大于一预设振动等级的等级振动的一或多个区块；以及通过将一或多个重块耦接至一或多个区块中半导体制造设备的一外表面，减少一或多个区块的振动等级，以在预设振动等级或以内。

公开(公告)号：CN110660672B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN201910575177.7

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思颖 ,  邱雅文 ,  赵晟博 ,  詹易哲 ,  廖志评 ,  王永豪 ,  薛森鸿

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/62 ,  H10D84/03 ,  H10D84/85

Abstract: 提供了一种半导体结构的形成方法，以及在形成半导体装置时进行高压退火工艺的方法与其装置。高压退火工艺可为高压干式高压退火工艺，其中退火的加压环境包括一或多种工艺气体。高压退火工艺可为湿式退火工艺，其中退火的加压环境包括蒸汽。

公开(公告)号：CN110660672A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910575177.7

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思颖 ,  邱雅文 ,  赵晟博 ,  詹易哲 ,  廖志评 ,  王永豪 ,  薛森鸿

IPC: H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体结构的形成方法，以及在形成半导体装置时进行高压退火工艺的方法与其装置。高压退火工艺可为高压干式高压退火工艺，其中退火的加压环境包括一或多种工艺气体。高压退火工艺可为湿式退火工艺，其中退火的加压环境包括蒸汽。

公开(公告)号：CN220862142U

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202321424096.5

申请日：2023-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何宜臻 ,  廖志评 ,  廖克勋 ,  林季勋

IPC: B08B3/02 ,  B08B13/00

Abstract: 本发明提出一种支撑件和清洁设备。支撑件包括一环状基座以及配置在环状基座上的三个或更多个垂直延伸元件。每个垂直延伸元件包括在径向上延伸远离环状基座的中心的一搁架。垂直延伸元件均匀地绕环状基座配置。从搁架的顶面到垂直延伸元件的最高表面的距离与从环状基座的顶面到垂直延伸元件的最高表面的距离的比值介于0.05至0.5。搁架沿着径向延伸的长度与从环状基座的顶面到垂直延伸元件的最高表面的距离的比值介于0.05至0.8。

公开(公告)号：CN219637337U

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202320811051.7

申请日：2023-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何宜臻 ,  廖志评 ,  杨世豪 ,  王伟民 ,  林建廷 ,  杨杰颖 ,  汤志哲 ,  邓国纲 ,  游明辉 ,  廖克勋 ,  林季勋

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本公开提出一种沉积工具以及夹具。本实用新型所述的一些实施方式提供技术以及设备，用于克服可使喷射器喷嘴偏斜到一薄膜炉管的一内壁中的力。夹具耦接到喷射器喷嘴。夹具可配置以锁定到喷射器喷嘴的一选定属性，以在喷射器喷嘴的一部分与内壁之间维持一间隙。以此种方式，防止喷射器喷嘴的部分与内壁碰撞及排出微粒，微粒可能污染使用薄膜炉管制造的半导体产品。