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公开(公告)号：CN110838444B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201910122301.4
申请日：2019-02-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 叶凌彦
IPC: H01L21/335 , H01L21/336 , H01L29/775 , H01L29/78 , B82Y10/00
Abstract: 在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成鳍结构。雕刻鳍结构以具有多个未蚀刻部分和多个蚀刻部分，其中，多个蚀刻部分具有比多个未蚀刻部分更窄的宽度。氧化雕刻的鳍结构，从而分别在多个未蚀刻部分中形成多条纳米线，并且氧化多个蚀刻部分以形成氧化物。通过去除氧化物释放多条纳米线。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法和一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN107591442B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710031102.3
申请日：2017-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例描述了具有2D材料层有源区的示例性FET器件及其制造方法。例如，黑磷有源区具有在沟道区中的第一厚度和在源极/漏极(S/D)区中的更大的第二厚度。在S/D区中的BP具有侧壁，该侧壁接触设置在FET上方的接触件。栅电极设置在沟道区上方。在一些实施例中，侧壁具有钝化的边缘。在一些实施例中，侧壁是非线性的。在一些实施例中，应力层设置在2D材料层上方。本发明实施例涉及具有至2D材料有源区的接触件的场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN110649023A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910563723.5
申请日：2019-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/8238
Abstract: 本揭示是关于一种集成电路。所揭示的技术在沟槽内局部地形成磊晶层，此沟槽具有在沟槽的侧壁中堆叠的角形凹陷。控制凹陷大小以控制在沟槽内形成的磊晶层的厚度。凹陷由覆盖层覆盖并且从最底部凹陷开始相继地逐个暴露出。磊晶层在沟槽内逐个形成，磊晶层的晶面边缘部分对准到相应凹陷中，此凹陷是为了磊晶层而相继地暴露的凹陷。
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公开(公告)号：CN106887461A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610998989.9
申请日：2016-11-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/47573 , H01L23/3171 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/24 , H01L29/401 , H01L29/45 , H01L29/66742 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/78
Abstract: 一种场效晶体管(FET)，包含在基板上的黑磷(BP)层。BP层包含通道、源极及漏极区域。FET进一步包含在BP层上且与其直接接触的钝化层。钝化层提供分别在源极及漏极区域上的第一及第二开口。FET进一步包含经由第一及第二开口与源极及漏极区域直接接触的源极及漏极接触件。FET进一步包含在通道区域上的栅电极。在一实施例中，钝化层进一步包含在通道区域上的第三开口且FET进一步包含经由第三开口与通道区域直接接触的栅极介电层。亦揭露制造FET的方法。
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公开(公告)号：CN106560924A
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510853099.4
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/24 , H01L21/8256
Abstract: 本发明是关于具有不同厚度过渡金属二硫属化物层的装置和制造方法。根据本发明的一实施例为一种结构，其包含：在衬底的第一区中的第一有源装置，所述第一有源装置包含二维(2-D)材料的第一层，所述第一层具有第一厚度；和在所述衬底的第二区中的第二有源装置，所述第二有源装置包含所述2-D材料的第二层，所述第二层具有第二厚度，所述2-D材料包含过渡金属二硫属化物TMD，所述第二厚度与所述第一厚度不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103852702A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310034628.9
申请日：2013-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R31/26
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/30625 , H01L22/34 , H01L29/0642 , H01L29/0649 , H01L29/161 , H01L29/66795
Abstract: 一种方法，包括使用四点探针头探测至少一个半导体鳍，四点探针头的四个探针引脚与所述至少一个半导体鳍接触。计算至少一个半导体鳍的电阻。通过电阻计算半导体鳍的载流子浓度。本发明还提供了确定半导体鳍中的载流子浓度的方法。
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公开(公告)号：CN110649023B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910563723.5
申请日：2019-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/8238
Abstract: 本揭示是关于一种集成电路。所揭示的技术在沟槽内局部地形成磊晶层，此沟槽具有在沟槽的侧壁中堆叠的角形凹陷。控制凹陷大小以控制在沟槽内形成的磊晶层的厚度。凹陷由覆盖层覆盖并且从最底部凹陷开始相继地逐个暴露出。磊晶层在沟槽内逐个形成，磊晶层的晶面边缘部分对准到相应凹陷中，此凹陷是为了磊晶层而相继地暴露的凹陷。
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公开(公告)号：CN109525232A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201711286017.8
申请日：2017-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件包括：用于提供第一电位的第一电位供应线，用于提供比第一电位低的第二电位的第二电位供应线，功能电路，以及设置在第一电位供应线和功能电路之间的第一开关和设置在第二电位供应线和功能电路之间的第二开关中的至少一个。第一开关和第二开关是负电容FET。
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公开(公告)号：CN107017252A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610916350.1
申请日：2016-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/10 , H01L21/8234
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构。该半导体结构包括鳍有源区域，形成在半导体衬底上并且横跨在第一浅沟槽隔离(STI)部件的第一侧壁和第二STI部件的第二侧壁之间；第一导电类型的抗穿通(APT)部件；以及第一导电类型的沟道材料层，设置在APT部件上并且具有小于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。APT部件形成在鳍有源区域上、横跨在第一侧壁和第二侧壁之间并且具有第一掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN106935649A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610916200.0
申请日：2016-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 半导体器件包括具有第一半导体材料的鳍。鳍包括源极/漏极(S/D)区域和沟道区域。S/D区域提供顶面和两个侧壁表面。S/D区域的宽度小于沟道区域的宽度。半导体器件还包括在S/D区域上方且具有掺杂的第二半导体材料的半导体膜。半导体膜提供分别地基本上平行于S/D区域的顶面和两个侧壁表面的顶面和两个侧壁表面。半导体器件还包括半导体膜的顶面和两个侧壁表面上方的且用于与S/D区域电通信的金属接触件。本发明的实施例还涉及形成场效应晶体管的方法。
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