公开(公告)号：CN111261716B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN201911204429.1

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭成毅 ,  蔡婷 ,  洪崇玮 ,  陈荣挺 ,  赖盈桦 ,  李松柏 ,  田博仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体器件包括沟道区以及与沟道区相邻的源极/漏极区。源极/漏极区包括第一外延层、外延形成在第一外延层上的第二外延层和外延形成在第二外延层上的第三外延层，并且第一外延层由SiAs制成。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN117276343A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311106502.8

申请日：2023-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林羿鋐 ,  翁翊轩 ,  邱子华 ,  彭成毅 ,  林家彬

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08

Abstract: 根据本申请的实施例，公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底；鳍状基底，设置在衬底上；纳米结构化沟道区，设置在鳍状基底的第一部分上；栅极结构，围绕纳米结构化沟道区；源极/漏极(S/D)区，设置在鳍状基底的第二部分上；以及隔离结构，设置在S/D区和鳍状基底的第二部分之间。隔离结构包括：未掺杂的半导体层，设置在鳍状基底的第二部分上；富硅介电层，设置在未掺杂的半导体层上；以及气体间隔件，设置在富硅介电层上。

公开(公告)号：CN110957274B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201910898439.3

申请日：2019-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡俊雄 ,  彭成毅 ,  李京桦 ,  吴忠政 ,  幸仁·万

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本发明实施例提供制造半导体结构的方法。所述方法的一者包括：接收包括第一晶体管的第一导电区域及第二晶体管的第二导电区域的衬底，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型；对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行非晶化；在所述第一晶体管的所述第一导电区域上执行植入；使接触材料层形成于所述第一导电区域及所述第二导电区域上；对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行热退火；及对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行激光退火。

公开(公告)号：CN109841671B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201811007588.8

申请日：2018-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沙哈吉 ,  B.摩尔 ,  蔡俊雄 ,  张世杰 ,  游国丰 ,  彭成毅

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种方法包括提供结构，其中，该结构含有衬底、衬底上方的栅极结构、以及与栅极结构相邻的含有硅锗(SiGe)的源极/漏极(S/D)部件。该方法还包括将镓(Ga)注入到S/D中；在第一温度的条件下实施第一退火工艺以再结晶SiGe；在第一退火工艺之后，在S/D上方沉积包括金属的导电材料；在第二温度的条件下实施第二退火工艺，以引起金属和S/D之间的反应；以及在第三温度条件下实施第三退火工艺，以激活S/D中含有Ga的掺杂剂。本发明的实施例还提供了半导体器件的形成方法。

公开(公告)号：CN113345889A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202011276968.9

申请日：2020-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭成毅 ,  李京桦 ,  李松柏

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了在FET器件的有源区域上具有钝化层的半导体器件的结构以及制造该半导体器件的方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一和第二源极/漏极(S/D)区域、设置在第一和第二S/D区域之间的纳米结构的沟道区域、钝化层和包裹纳米结构的沟道区域的纳米片(NS)结构。每个S/D区域具有以交替配置布置的第一和第二半导体层的堆叠件以及设置在第一和第二半导体层的堆叠件上的外延区域。钝化层的第一部分设置在外延区域与第一和第二半导体层的堆叠件之间，并且钝化层的第二部分设置在纳米结构的沟道区域的侧壁上。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN111105991A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201910912777.8

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡俊雄 ,  彭成毅 ,  李京桦 ,  幸仁·万 ,  林佑明

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本申请涉及半导体结构的制造方法。所述方法的一者包含以下操作。接收衬底，且所述衬底包含具有第一导电区域的第一晶体管及具有第二导电区域的第二晶体管，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型。对所述第一导电区域执行第一激光退火以修复晶格损坏。对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行非晶化以促进关于后续操作中的所要相变的硅化物形成。在所述非晶化之后使预硅化物层形成于所述衬底上。对所述衬底执行热退火以由所述预硅化物层形成硅化物层。在形成所述预硅化物层之后对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行第二激光退火。

公开(公告)号：CN106158856B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201510187697.2

申请日：2015-04-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭成毅 ,  杨玉麟 ,  何嘉政 ,  邱荣标 ,  李宗霖 ,  叶致锴 ,  张智胜 ,  杨育佳

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种半导体器件，包括：具有第一区和第二区的衬底；位于第一区中的n型晶体管，n型晶体管包括第一组源极/漏极部件；以及位于第二区中的p型晶体管，p型晶体管包括第二组源极/漏极部件。第二组源极/漏极部件比第一组源极/漏极部件延伸得更深。本发明涉及非对称源极/漏极深度。

公开(公告)号：CN109860275A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201810515766.1

申请日：2018-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭成毅 ,  卡洛斯·H·迪亚兹 ,  蔡俊雄 ,  林佑明

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括场效应晶体管(FET)。FET包括沟道区和设置为与沟道区相邻的源极/漏极区。FET还包括设置在沟道区上方的栅电极。FET是n型FET并且沟道区由Si制成。源极/漏极区包括含有Si1-x-yM1xM2y的外延层，其中，M1是Ge和Sn中的一种或多种，以及M2是P和As中的一种或多种，并且0.01≤x≤0.1。本发明实施例半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN107017252A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610916350.1

申请日：2016-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭成毅 ,  叶凌彦 ,  刘继文 ,  张智胜 ,  杨育佳

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构。该半导体结构包括鳍有源区域，形成在半导体衬底上并且横跨在第一浅沟槽隔离(STI)部件的第一侧壁和第二STI部件的第二侧壁之间；第一导电类型的抗穿通(APT)部件；以及第一导电类型的沟道材料层，设置在APT部件上并且具有小于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。APT部件形成在鳍有源区域上、横跨在第一侧壁和第二侧壁之间并且具有第一掺杂浓度。

公开(公告)号：CN106653852A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610956921.4

申请日：2016-10-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江宏礼 ,  叶致锴 ,  彭成毅 ,  陈自强 ,  杨育佳

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/823885 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/535 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体装置，包含N型垂直式场效晶体管和P型垂直式场效晶体管。N型垂直式场效晶体管包含：第一垂直条状结构配置于基板上方，且包含第一侧壁和第二侧壁；栅极沿第一垂直条状结构的第一侧壁配置；第二垂直条状结构电性耦接至第一垂直条状结构；以及第二源极/漏极特征配置于第一垂直条状结构上方。P型垂直式场效晶体管包含：第三垂直条状结构配置于基板上且包含第三侧壁和第四侧壁；栅极沿第三垂直条状结构的第三侧壁配置；第四垂直条状结构电性耦接至第三垂直条状结构；以及第四源极/漏极特征配置于第三垂直条状结构上方。