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发明公开
半导体器件及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN117276343A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311106502.8

申请日：2023-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林羿鋐 , 翁翊轩 , 邱子华 , 彭成毅 , 林家彬

IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/08

Abstract: 根据本申请的实施例，公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底；鳍状基底，设置在衬底上；纳米结构化沟道区，设置在鳍状基底的第一部分上；栅极结构，围绕纳米结构化沟道区；源极/漏极(S/D)区，设置在鳍状基底的第二部分上；以及隔离结构，设置在S/D区和鳍状基底的第二部分之间。隔离结构包括：未掺杂的半导体层，设置在鳍状基底的第二部分上；富硅介电层，设置在未掺杂的半导体层上；以及气体间隔件，设置在富硅介电层上。

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