公开(公告)号：CN114883389A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210329596.4

申请日：2022-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏裕 ,  李威养 ,  林家彬 ,  邱子华 ,  郑宽豪 ,  范玮寒 ,  舒丽丽 ,  刘威民

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体裝置，包括源极/漏极部件，位于半导体基板之上；通道层，位于半导体基板之上，且连接至源极/漏极部件；栅极部分，位于垂直邻近通道层之间；以及内间隔物，位于源极/漏极部件与栅极部分之间，以及邻近通道层之间，以及空气间隙，位于内间隔物及源极/漏极部件之间。

公开(公告)号：CN114864499A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210113669.6

申请日：2022-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏裕 ,  李威养 ,  林家彬 ,  邱子华 ,  郑宽豪 ,  范玮寒 ,  杨育佳 ,  吕惟皓

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种半导体结构的形成方法，此处公开多栅极装置与其制作方法。例示性的方法包括形成半导体堆叠于基板上，其中半导体堆叠包括交错的第一半导体层与第二半导体层，且第一半导体层的组成不同于第二半导体层的组成；图案化半导体堆叠以形成半导体鳍状物；形成介电鳍状物以与半导体鳍状物相邻；形成第一栅极堆叠于半导体鳍状物与介电鳍状物上；蚀刻至源极/漏极区中的半导体鳍状物的一部分，以形成源极/漏极凹陷；以及外延成长源极/漏极结构于源极/漏极凹陷中，以定义跨越源极/漏极结构的侧壁与介电鳍状物的侧壁之间的气隙。

公开(公告)号：CN117276343A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311106502.8

申请日：2023-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林羿鋐 ,  翁翊轩 ,  邱子华 ,  彭成毅 ,  林家彬

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08

Abstract: 根据本申请的实施例，公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底；鳍状基底，设置在衬底上；纳米结构化沟道区，设置在鳍状基底的第一部分上；栅极结构，围绕纳米结构化沟道区；源极/漏极(S/D)区，设置在鳍状基底的第二部分上；以及隔离结构，设置在S/D区和鳍状基底的第二部分之间。隔离结构包括：未掺杂的半导体层，设置在鳍状基底的第二部分上；富硅介电层，设置在未掺杂的半导体层上；以及气体间隔件，设置在富硅介电层上。

公开(公告)号：CN218004864U

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202221791602.X

申请日：2022-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 范玮寒 ,  林家彬 ,  李威养 ,  邱子华 ,  郑宽豪 ,  林柏劭

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，包括鳍状物，自基板延伸且包括半导体通道层；内侧间隔物，位于相邻的半导体通道层之间以及通道区的侧部上。内侧间隔物包括碟化区以面对源极/漏极区。半导体装置还包括源极/漏极结构，位于源极/漏极区中并接触内侧间隔物的碟形区与半导体通道层的末端部分。

公开(公告)号：CN218241857U

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202221764028.9

申请日：2022-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 范玮寒 ,  林家彬 ,  李威养 ,  邱子华 ,  郑宽豪 ,  林柏劭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置，包括通道构件的垂直堆叠物，置于基底的上方；栅极结构，包覆通道构件的垂直堆叠物的每个通道构件的周围；以及源极/漏极部件，置于基底的上方并耦接于通道构件的垂直堆叠物。源极/漏极部件是通过第一空气间隙与第一栅极介电层而与栅极结构的侧壁隔开，而第一空气间隙延伸至源极/漏极部件中。