-
公开(公告)号：CN114883389A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210329596.4
申请日：2022-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体裝置，包括源极/漏极部件，位于半导体基板之上；通道层，位于半导体基板之上，且连接至源极/漏极部件；栅极部分，位于垂直邻近通道层之间；以及内间隔物，位于源极/漏极部件与栅极部分之间，以及邻近通道层之间，以及空气间隙，位于内间隔物及源极/漏极部件之间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114864499A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210113669.6
申请日：2022-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，此处公开多栅极装置与其制作方法。例示性的方法包括形成半导体堆叠于基板上，其中半导体堆叠包括交错的第一半导体层与第二半导体层，且第一半导体层的组成不同于第二半导体层的组成；图案化半导体堆叠以形成半导体鳍状物；形成介电鳍状物以与半导体鳍状物相邻；形成第一栅极堆叠于半导体鳍状物与介电鳍状物上；蚀刻至源极/漏极区中的半导体鳍状物的一部分，以形成源极/漏极凹陷；以及外延成长源极/漏极结构于源极/漏极凹陷中，以定义跨越源极/漏极结构的侧壁与介电鳍状物的侧壁之间的气隙。
-
公开(公告)号：CN218241857U
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202221764028.9
申请日：2022-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体装置，包括通道构件的垂直堆叠物，置于基底的上方；栅极结构，包覆通道构件的垂直堆叠物的每个通道构件的周围；以及源极/漏极部件，置于基底的上方并耦接于通道构件的垂直堆叠物。源极/漏极部件是通过第一空气间隙与第一栅极介电层而与栅极结构的侧壁隔开，而第一空气间隙延伸至源极/漏极部件中。
-
公开(公告)号：CN222914810U
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202421787473.6
申请日：2024-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H10D84/85
Abstract: 一种半导体装置包含半导体纳米结构堆叠、相邻于半导体纳米结构堆叠的源极/漏极区、下伏于该源极/漏极区的一底部介电层、衬里层及导电核心层。源极/漏极区具有一顶表面、多个侧壁及一底表面。一孔隙存在于源极/漏极区与底部介电层之间。衬里层位于源极/漏极区上。导电核心层位于衬里层上，其中导电核心层在源极/漏极区的顶表面、侧壁及底表面上与衬里层接触。
-
公开(公告)号：CN218004864U
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202221791602.X
申请日：2022-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置，包括鳍状物，自基板延伸且包括半导体通道层；内侧间隔物，位于相邻的半导体通道层之间以及通道区的侧部上。内侧间隔物包括碟化区以面对源极/漏极区。半导体装置还包括源极/漏极结构，位于源极/漏极区中并接触内侧间隔物的碟形区与半导体通道层的末端部分。
-
公开(公告)号：CN218004857U
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202221791483.8
申请日：2022-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 提供半导体装置。在一实施例中，半导体装置包含在基底的第一部分正上方的第一纳米结构和在基底的第二部分正上方的第二纳米结构、耦合至第一纳米结构的n型源极/漏极部件和耦合至第二纳米结构的p型源极/漏极部件、以及设置在基底的第一部分和基底的第二部分之间的隔离结构。隔离结构包含直接接触基底的第一部分并具有第一高度的第一微笑区。隔离结构也包含直接接触基底的第二部分并具有第二高度的第二微笑区，第一高度大于第二高度。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.028 seconds)
