公开(公告)号：CN107017206A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710061113.6

申请日：2017-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林国楹 ,  蔡腾群 ,  林柏裕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924

Abstract: 本揭露内容的方法包含提供一半导体基板，其具有第一和第二区域，分别地掺杂第一和第二掺杂物。第一和第二掺杂物为相反的型式。此方法更进一步地包含磊晶成长第一半导体层，其掺杂第三掺杂物。第一和第三掺杂物为相反的型式。此方法更进一步地包含在第一半导体层上沉积介电硬罩(HM)层；将介电硬罩层上图案化，以在第一区域上形成开口；朝半导体基板延伸此开口；在此开口中磊晶成长第二半导体层。第二半导体层掺杂第四掺杂物。第一和第四掺杂物为相同型态。此方法更进一步地包含移除介电硬罩层；以及执行第一化学机械平坦化制程，以将第一和第二半导体二者皆平坦化。

公开(公告)号：CN107017206B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201710061113.6

申请日：2017-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林国楹 ,  蔡腾群 ,  林柏裕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本揭露内容的方法包含提供一半导体基板，其具有第一和第二区域，分别地掺杂第一和第二掺杂物。第一和第二掺杂物为相反的型式。此方法更进一步地包含磊晶成长第一半导体层，其掺杂第三掺杂物。第一和第三掺杂物为相反的型式。此方法更进一步地包含在第一半导体层上沉积介电硬罩(HM)层；将介电硬罩层上图案化，以在第一区域上形成开口；朝半导体基板延伸此开口；在此开口中磊晶成长第二半导体层。第二半导体层掺杂第四掺杂物。第一和第四掺杂物为相同型态。此方法更进一步地包含移除介电硬罩层；以及执行第一化学机械平坦化制程，以将第一和第二半导体二者皆平坦化。

公开(公告)号：CN114883389A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210329596.4

申请日：2022-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏裕 ,  李威养 ,  林家彬 ,  邱子华 ,  郑宽豪 ,  范玮寒 ,  舒丽丽 ,  刘威民

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体裝置，包括源极/漏极部件，位于半导体基板之上；通道层，位于半导体基板之上，且连接至源极/漏极部件；栅极部分，位于垂直邻近通道层之间；以及内间隔物，位于源极/漏极部件与栅极部分之间，以及邻近通道层之间，以及空气间隙，位于内间隔物及源极/漏极部件之间。

公开(公告)号：CN114864499A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210113669.6

申请日：2022-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林柏裕 ,  李威养 ,  林家彬 ,  邱子华 ,  郑宽豪 ,  范玮寒 ,  杨育佳 ,  吕惟皓

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种半导体结构的形成方法，此处公开多栅极装置与其制作方法。例示性的方法包括形成半导体堆叠于基板上，其中半导体堆叠包括交错的第一半导体层与第二半导体层，且第一半导体层的组成不同于第二半导体层的组成；图案化半导体堆叠以形成半导体鳍状物；形成介电鳍状物以与半导体鳍状物相邻；形成第一栅极堆叠于半导体鳍状物与介电鳍状物上；蚀刻至源极/漏极区中的半导体鳍状物的一部分，以形成源极/漏极凹陷；以及外延成长源极/漏极结构于源极/漏极凹陷中，以定义跨越源极/漏极结构的侧壁与介电鳍状物的侧壁之间的气隙。

公开(公告)号：CN218004857U

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202221791483.8

申请日：2022-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑宽豪 ,  林家彬 ,  李威养 ,  丘子华 ,  范玮寒 ,  林柏裕

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 提供半导体装置。在一实施例中，半导体装置包含在基底的第一部分正上方的第一纳米结构和在基底的第二部分正上方的第二纳米结构、耦合至第一纳米结构的n型源极/漏极部件和耦合至第二纳米结构的p型源极/漏极部件、以及设置在基底的第一部分和基底的第二部分之间的隔离结构。隔离结构包含直接接触基底的第一部分并具有第一高度的第一微笑区。隔离结构也包含直接接触基底的第二部分并具有第二高度的第二微笑区，第一高度大于第二高度。