公开(公告)号：CN105097807B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201510230956.5

申请日：2015-05-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖盈桦 ,  张家铭 ,  江宗育 ,  陈光鑫

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/033 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件，该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的隔离结构。半导体器件还包括位于半导体衬底上方的第一外延鳍和第二外延鳍，并且第一外延鳍和第二外延鳍从隔离结构中突出。半导体器件还包括位于第一外延鳍和第二外延鳍上方且横跨第一外延鳍和第二外延鳍的栅极堆叠件。此外，半导体器件包括从隔离结构的顶面开始延伸的凹槽。凹槽介于第一外延鳍和第二外延鳍之间。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN111261716A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911204429.1

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭成毅 ,  蔡婷 ,  洪崇玮 ,  陈荣挺 ,  赖盈桦 ,  李松柏 ,  田博仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体器件包括沟道区以及与沟道区相邻的源极/漏极区。源极/漏极区包括第一外延层、外延形成在第一外延层上的第二外延层和外延形成在第二外延层上的第三外延层，并且第一外延层由SiAs制成。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN111261716B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN201911204429.1

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭成毅 ,  蔡婷 ,  洪崇玮 ,  陈荣挺 ,  赖盈桦 ,  李松柏 ,  田博仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体器件包括沟道区以及与沟道区相邻的源极/漏极区。源极/漏极区包括第一外延层、外延形成在第一外延层上的第二外延层和外延形成在第二外延层上的第三外延层，并且第一外延层由SiAs制成。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN105097807A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510230956.5

申请日：2015-05-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖盈桦 ,  张家铭 ,  江宗育 ,  陈光鑫

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/033 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7851 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件，该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的隔离结构。半导体器件还包括位于半导体衬底上方的第一外延鳍和第二外延鳍，并且第一外延鳍和第二外延鳍从隔离结构中突出。半导体器件还包括位于第一外延鳍和第二外延鳍上方且横跨第一外延鳍和第二外延鳍的栅极堆叠件。此外，半导体器件包括从隔离结构的顶面开始延伸的凹槽。凹槽介于第一外延鳍和第二外延鳍之间。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。