公开(公告)号：CN109841671B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201811007588.8

申请日：2018-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沙哈吉 ,  B.摩尔 ,  蔡俊雄 ,  张世杰 ,  游国丰 ,  彭成毅

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种方法包括提供结构，其中，该结构含有衬底、衬底上方的栅极结构、以及与栅极结构相邻的含有硅锗(SiGe)的源极/漏极(S/D)部件。该方法还包括将镓(Ga)注入到S/D中；在第一温度的条件下实施第一退火工艺以再结晶SiGe；在第一退火工艺之后，在S/D上方沉积包括金属的导电材料；在第二温度的条件下实施第二退火工艺，以引起金属和S/D之间的反应；以及在第三温度条件下实施第三退火工艺，以激活S/D中含有Ga的掺杂剂。本发明的实施例还提供了半导体器件的形成方法。

公开(公告)号：CN109841671A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811007588.8

申请日：2018-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沙哈吉 ,  B.摩尔 ,  蔡俊雄 ,  张世杰 ,  游国丰 ,  彭成毅

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种方法包括提供结构，其中，该结构含有衬底、衬底上方的栅极结构、以及与栅极结构相邻的含有硅锗(SiGe)的源极/漏极(S/D)部件。该方法还包括将镓(Ga)注入到S/D中；在第一温度的条件下实施第一退火工艺以再结晶SiGe；在第一退火工艺之后，在S/D上方沉积包括金属的导电材料；在第二温度的条件下实施第二退火工艺，以引起金属和S/D之间的反应；以及在第三温度条件下实施第三退火工艺，以激活S/D中含有Ga的掺杂剂。本发明的实施例还提供了半导体器件的形成方法。