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公开(公告)号：CN110970073B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201910924590.X
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种相变记忆电路、用于相变记忆装置的方法、脉冲产生系统。方法包括将脉冲序列施加于相变记忆装置，脉冲序列的每个脉冲包括脉冲编号、振幅、前缘、脉冲宽度和后缘，其中后缘的持续时间比前缘的持续时间还要长。施加脉冲序列的操作包括在增加脉冲编号时增加幅度、脉冲宽度和后缘持续时间的其中至少一者。此方法还包括改变相变记忆装置的电导准位，以回应于施加脉冲序列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108122909A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710702826.6
申请日：2017-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/49
Abstract: 半导体器件包括设置在衬底上方的第一沟道区域，以及设置在第一沟道区域上方的第一栅极结构。第一栅极结构包括设置在沟道区域上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的下导电栅极层、设置在下导电栅极层上方的铁电材料层以及设置在铁电材料层上方的上导电栅极层。铁电材料层与栅极介电层和下导电栅极层直接接触，并且具有U形截面。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN109525232A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201711286017.8
申请日：2017-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件包括：用于提供第一电位的第一电位供应线，用于提供比第一电位低的第二电位的第二电位供应线，功能电路，以及设置在第一电位供应线和功能电路之间的第一开关和设置在第二电位供应线和功能电路之间的第二开关中的至少一个。第一开关和第二开关是负电容FET。
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公开(公告)号：CN109525232B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201711286017.8
申请日：2017-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件包括：用于提供第一电位的第一电位供应线，用于提供比第一电位低的第二电位的第二电位供应线，功能电路，以及设置在第一电位供应线和功能电路之间的第一开关和设置在第二电位供应线和功能电路之间的第二开关中的至少一个。第一开关和第二开关是负电容FET。
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公开(公告)号：CN110970073A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910924590.X
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种相变记忆电路、用于相变记忆装置的方法、脉冲产生系统。方法包括将脉冲序列施加于相变记忆装置，脉冲序列的每个脉冲包括脉冲编号、振幅、前缘、脉冲宽度和后缘，其中后缘的持续时间比前缘的持续时间还要长。施加脉冲序列的操作包括在增加脉冲编号时增加幅度、脉冲宽度和后缘持续时间的其中至少一者。此方法还包括改变相变记忆装置的电导准位，以回应于施加脉冲序列。
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公开(公告)号：CN108122909B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201710702826.6
申请日：2017-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/49
Abstract: 半导体器件包括设置在衬底上方的第一沟道区域，以及设置在第一沟道区域上方的第一栅极结构。第一栅极结构包括设置在沟道区域上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的下导电栅极层、设置在下导电栅极层上方的铁电材料层以及设置在铁电材料层上方的上导电栅极层。铁电材料层与栅极介电层和下导电栅极层直接接触，并且具有U形截面。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
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