公开(公告)号：CN101369598A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200710306398.1

申请日：2007-12-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏年 ,  柯志欣 ,  李文钦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

Abstract: 本发明涉及一种半导体结构，包括半导体衬底；绝缘区，实质上从半导体衬底的上表面延伸进入半导体衬底中；嵌入式介电间隙壁，邻近于绝缘区，其中该嵌入式介电间隙壁的底部紧邻该半导体衬底；以及半导体材料，紧邻该嵌入式介电间隙壁的上边缘，且延伸在嵌入式介电间隙壁的侧壁上。

公开(公告)号：CN108122909A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710702826.6

申请日：2017-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家文 ,  林宏年 ,  李建兴 ,  张智胜 ,  叶凌彦 ,  威尔曼·蔡 ,  杨育佳

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49

Abstract: 半导体器件包括设置在衬底上方的第一沟道区域，以及设置在第一沟道区域上方的第一栅极结构。第一栅极结构包括设置在沟道区域上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的下导电栅极层、设置在下导电栅极层上方的铁电材料层以及设置在铁电材料层上方的上导电栅极层。铁电材料层与栅极介电层和下导电栅极层直接接触，并且具有U形截面。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN101447512A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810179248.3

申请日：2008-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏年 ,  柯志欣 ,  陈宏玮 ,  李文钦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底之上形成栅电介质；在栅电介质上形成栅电极；在栅电介质和栅电极的侧壁上形成薄衬垫；形成邻近薄衬垫的碳化硅(SiC)区；形成包括至少一部分碳化硅区的深源/漏区；覆盖形成金属层，其中介于金属层和深源/漏之间的第一界面高于介于栅电介质和半导体衬底之间的第二界面；对半导体器件进行退火以形成硅化物区。优选地，硅化物区内边缘和栅电极对应边缘之间的水平间距优选为小于大约150。

公开(公告)号：CN108122909B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201710702826.6

申请日：2017-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张家文 ,  林宏年 ,  李建兴 ,  张智胜 ,  叶凌彦 ,  威尔曼·蔡 ,  杨育佳

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49

Abstract: 半导体器件包括设置在衬底上方的第一沟道区域，以及设置在第一沟道区域上方的第一栅极结构。第一栅极结构包括设置在沟道区域上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的下导电栅极层、设置在下导电栅极层上方的铁电材料层以及设置在铁电材料层上方的上导电栅极层。铁电材料层与栅极介电层和下导电栅极层直接接触，并且具有U形截面。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN101447512B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200810179248.3

申请日：2008-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏年 ,  柯志欣 ,  陈宏玮 ,  李文钦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底之上形成栅电介质；在栅电介质上形成栅电极；在栅电介质和栅电极的侧壁上形成薄衬垫；形成邻近薄衬垫的碳化硅(SiC)区；形成包括至少一部分碳化硅区的深源/漏区；覆盖形成金属层，其中介于金属层和深源/漏之间的第一界面高于介于栅电介质和半导体衬底之间的第二界面；对半导体器件进行退火以形成硅化物区。优选地，硅化物区内边缘和栅电极对应边缘之间的水平间距优选为小于大约150。

公开(公告)号：CN101106159B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200710000298.6

申请日：2007-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏年 ,  林鸿志 ,  黄调元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种鳍式场效电晶体或是其他型式的多栅极电晶体。该电晶体具有一半导体基材以及一半导体鳍片。该半导体基材具有一第一晶格常数。该半导体鳍片由该半导体基材延伸而出，并具有一第二晶格常数、一顶面以及两相对的侧壁面。该第二晶格常数相异于该第一晶格常数。该电晶体更包括有一栅极介电层以及一栅极电极。栅极介电层覆盖于该顶面以及两侧壁面的至少一部份上。栅极电极覆盖于该栅极介电层的至少一部份上。藉由半导体基材与半导体鳍片两者间晶格不匹配感应产生通道中的应变。并可藉由材料的选择来调整此一应变量。

公开(公告)号：CN101106159A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710000298.6

申请日：2007-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏年 ,  林鸿志 ,  黄调元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种鳍式场效电晶体或是其他型式的多栅极电晶体。该电晶体具有一半导体基材以及一半导体鳍片。该半导体基材具有一第一晶格常数。该半导体鳍片由该半导体基材延伸而出，并具有一第二晶格常数、一顶面以及两相对的侧壁面。该第二晶格常数相异于该第一晶格常数。该电晶体更包括有一栅极介电层以及一栅极电极。栅极介电层覆盖于该顶面以及两侧壁面的至少一部份上。栅极电极覆盖于该栅极介电层的至少一部份上。藉由半导体基材与半导体鳍片两者间晶格不匹配感应产生通道中的应变。并可藉由材料的选择来调整此一应变量。