公开(公告)号：CN104576733A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310719773.0

申请日：2013-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦友 ,  施啟元 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管（FinFET）及其形成方法。FinFET具有鳍部，鳍部具有在衬底上外延生长的一个或多个半导体层。在鳍部上方形成第一钝化层，并且在鳍部之间形成隔离区。对鳍部的上部进行重塑，并且在重塑后的部分上方形成第二钝化层。此后，可以在鳍部上方形成栅结构，并且可以形成源极/漏极区。

公开(公告)号：CN104576733B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201310719773.0

申请日：2013-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦友 ,  施啟元 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管（FinFET）及其形成方法。FinFET具有鳍部，鳍部具有在衬底上外延生长的一个或多个半导体层。在鳍部上方形成第一钝化层，并且在鳍部之间形成隔离区。对鳍部的上部进行重塑，并且在重塑后的部分上方形成第二钝化层。此后，可以在鳍部上方形成栅结构，并且可以形成源极/漏极区。