-
公开(公告)号：CN107017203A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610993734.3
申请日：2016-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本揭露是关于制造半导体的方法。方法包含提供一前置物，具有基板以及位于基板上的多个凸出部，凸出部之间安插有多个沟槽。在凸出部上沉积第一介电层并填补沟槽，第一介电层具有第一硬度。使用氧化剂处理第一介电层。对第一介电层执行化学机械研磨制程。
-
公开(公告)号：CN107017203B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201610993734.3
申请日：2016-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本揭露是关于制造半导体的方法。方法包含提供一前置物，具有基板以及位于基板上的多个凸出部，凸出部之间安插有多个沟槽。在凸出部上沉积第一介电层并填补沟槽，第一介电层具有第一硬度。使用氧化剂处理第一介电层。对第一介电层执行化学机械研磨制程。
-
公开(公告)号：CN100578742C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200610007823.2
申请日：2006-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供一种平坦化半导体结构的方法。提供一半导体基底，具有一第一区域及一第二区域，其中该第二区域的沟槽密度低于该第一区域。在该半导体基底上形成一第一介电层，以覆盖该第一及该第二区域的该沟槽。以特定的研磨浆进行一第一化学机械研磨，以降低该第一介电层的厚度。接着清洗该第一介电层。以该特定的研磨浆进行一第二化学机械研磨，以移除该沟槽外的该第一介电层，因此降低该第一及该第二区域表面间的高低差。本发明所述平坦化半导体结构的方法，可降低高沟槽密度区及低沟槽密度区间的阶梯高度差。
-
公开(公告)号：CN1790661A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510109276.4
申请日：2005-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包含：一第一层间介电层，覆盖一基底；一第一金属层；多个第二层间介电层，覆盖该第一层间介电层；以及多个第二金属层，每一第二金属层覆盖第二层间介电层其中之一。不烘烤该第一层间介电层，其中该第一层间介电层具有一k值约介于2.5至3.0之间，一孔洞尺寸约小于10，以及一硬度约大于1.5Gpa。烘烤第二层间介电层，因此该第二层间介电层具有一k值约小于2.5，一孔洞尺寸约大于10，以及一硬度约小于1.5Gpa。此半导体结构减少等离子烘烤时的等离子电荷损害。
-
公开(公告)号：CN113206026A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110226125.6
申请日：2021-03-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种清洁系统，包括至少一清洁模块，配置以在一化学机械研磨(CMP)制程之后接收一基板，并且使用一清洁溶液去除在基板上的多个污染物。清洁系统还包括一清洁溶液供给系统，配置以将清洁溶液供给到至少一清洁模块。清洁溶液供给系统包括至少一温度控制系统。至少一温度控制系统包括：一加热装置，配置以加热清洁溶液、一冷却装置，配置以冷却清洁溶液、一温度感应器，配置以监测清洁溶液的一温度、以及一温度控制器，配置以控制加热装置及冷却装置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107230635A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610996689.7
申请日：2016-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28123 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/32115 , H01L21/3212 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/7848 , H01L29/66795
Abstract: 半导体装置的形成方法包含形成鳍状物于基板上；沉积栅极层于鳍状物上，且栅极层具有第一材料；以及沉积牺牲层于栅极层上，且牺牲层具有第二材料。此方法亦包含以第一浆料或蚀刻品移除牺牲层的第一部分，且第一浆料或蚀刻品对第一材料与第二材料具有第一选择性。此方法亦包含以第二浆料或蚀刻品移除栅极层的第一部分与牺牲层的第二部分以形成平坦化的栅极层，且第二浆料或蚀刻品对第一材料与第二材料具有第二选择性。第一选择性大于第二选择性。上述方法的优点之一为降低下方的结构密度对栅极层的平坦化工艺的影响，并降低横越晶片的装置结构上的栅极层其厚度差异。
-
公开(公告)号：CN107150288A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201611009306.9
申请日：2016-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/30625 , B24B37/30 , H01L21/32115 , H01L21/3212 , H01L21/67092 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L23/544 , H01L2223/54493 , B24B37/10 , B24B37/20
Abstract: 一种化学机械研磨方法包括测量一晶圆的一轮廓，以及判定晶圆的一第一部分具有大于一特定的厚度的一较厚的厚度。上述方法还包括于测量晶圆之后，实施一化学机械研磨(CMP)工艺至晶圆的一第一侧，以及于CMP工艺的过程中，实施一额外的压力至晶圆的一区域，区域包括晶圆的一非对称部分，区域涵盖至少部分晶圆的第一部分。该化学机械研磨方法能够使晶圆的表面更为平坦。
-
公开(公告)号：CN1933108A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610007823.2
申请日：2006-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供一种平坦化半导体结构的方法。提供一半导体基底，具有一第一区域及一第二区域，其中该第二区域的沟槽密度低于该第一区域。在该半导体基底上形成一第一介电层，以覆盖该第一及该第二区域的该沟槽。以特定的研磨浆进行一第一化学机械研磨，以降低该第一介电层的厚度。接着清洗该第一介电层。以该特定的研磨浆进行一第二化学机械研磨，以移除该沟槽外的该第一介电层，因此降低该第一及该第二区域表面间的高低差。本发明所述平坦化半导体结构的方法，可降低高沟槽密度区及低沟槽密度区间的阶梯高度差。
-
公开(公告)号：CN115246099A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210611469.3
申请日：2022-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B55/06 , B24B27/00 , H01L21/306
Abstract: 一种化学机械平坦化系统，包括在化学机械平坦化制程期间旋转的一化学机械平坦化垫。在制程期间，一化学机械平坦化头将半导体晶圆放置与化学机械平坦化垫接触。在制程期间，一研磨浆供给系统将研磨浆供给至垫上。在制程期间，一垫调节件调节上述垫。一杂质去除系统从研磨浆去除碎屑及杂质。
-
公开(公告)号：CN112864095A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010824089.9
申请日：2020-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种方法包括：形成从衬底延伸的鳍；在鳍上方形成第一栅极掩模，第一栅极掩模具有第一宽度；在鳍上方形成第二栅极掩模，第二栅极掩模具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度；在第一栅极掩模和第二栅极掩模上方沉积第一填充层；在第一填充层上方沉积第二填充层；利用化学机械抛光(CMP)工艺对第二填充层进行平坦化，执行CMP工艺直到第一填充层被暴露为止；以及利用回蚀工艺对第二填充层的剩余部分和第一填充层进行平坦化，该回蚀工艺以相同速率蚀刻第一填充层、第二填充层、第一栅极掩模和第二栅极掩模的材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.028 seconds)
